СОЗДАНЫ УЛЬТРАТОНКИЕ 2D-КРИСТАЛЛЫ ДЛЯ ПАМЯТИ СОВРЕМЕННОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ
В Санкт-Петербургском государственном университете информационных технологий, механики и оптики (ИТМО) открыли новое семейство металлоорганических кристаллов, которые самопроизвольно превращаются из 3D-структур в 2D. Их можно использовать в качестве материала для мемристоров и технологии ReRAM — платформ для записи и хранения информации.
Создают такие кристаллы методами растворной химии, без применения дорогостоящей литографии, что значительно снижает их стоимость. Они получаются достаточно тонкими (от 4 нанометров), могут сохранять записанную информацию более 2 часов и служат более 100 циклов переключения из состояния с низкой проводимостью в состояние с высокой проводимостью и обратно с соотношением сигнал—шум до 1400 единиц
Сначала ученые синтезируют объемные кристаллы. Для этого они нагревают в течение 48 часов раствор 1,2-бипиридилэтилена, 2,6-нафталендикарбоксилата и нитрата цинка. В осадке этой смеси и выпадают нужные 3D-кристаллы. После кристаллы сушат на воздухе, что приводит к разрушению координационных связей между слоями и их трансформации в 2D-структуры. На последнем этапе ученые специальной клейкой лентой отделяют слои от получившихся 2D-кристаллов — с ними уже можно работать по отдельности и использовать в устройствах.
Готовые 2D-кристаллы могут стать основой мемристоров — устройств для записи и хранения информации. Помимо того, что подобные структуры более энергоэффективны и энергонезависимы, в них есть возможность адресного обращения к конкретной ячейке памяти, чего не позволяют классические устройства.
