RUSmicro
20.04.202519:35
🇨🇳 Материалы. Минералы. Соединения. Китай
Китай объявил о двух внутренних крупных месторождениях высокочистого кварца
Одно находится недалеко от Циньлина, провинция Хэнань, другие – в провинции Синьцзян. Общий объем заявлен в объеме более 35 млн метрических тонн. Об этом сообщает PV magazine.
Когда речь заходит о материалах для микроэлектроники, то обычно вспоминают Японию и Китай. Но по поставкам некоторых материалов, ведущие позиции в мире занимает США. В частности, это касается высокочистого кварца (HPQ), необходимого для производства кварцевого песка (SiO2) с чистотой 99,995% и выше. Такой песок востребован в производстве высокотемпературных тиглей, используемых в производстве монокристаллов кремния - сырья для выпуска пластин, на которых затем выращивают полупроводниковые структуры - будущие кристаллы для микросхем.
На сегодня многие страны зависимы от поставок HPQ из США, в частности, Китай импортирует высокочистый кварцевый песок из США на сумму более $1.5 млрд в год, в основном с рудника Спрус-Пайн (Spruce Pine), что в часе езды от Эшвилла, Северная Каролина. В Спрус-Пайн производится около 20 тысяч тонн кварца высокой чистоты в год. На долю американских компаний Sibelco и Quartz Corp. приходится более 80% мировых поставок HPQ. Но только Quartz Corp. выпускает песок достаточной для использования в микроэлектронике чистоты, например, марок NC1-LA5, NC1-LA12, NC1-LA20.
Новые китайские месторождения в перспективе позволят снизить зависимость Китая от США. Осталось всего ничего – наладить добычу, очистку и обогащение HPQ. Впрочем, задача это посильная для современного Китая. Как ожидается, переход на собственный кварц для тиглей позволит Китаю сэкономить от 1 до 2 центов на каждой пластине. Не сказать, чтобы много, важнее снижение стратегической зависимости.
В России производством кварцевого песка и изделий из него занимается предприятие Русский кварц. Используется продукция Кыштымского месторождения, которая в больше степени загрязнена примесями, чем песок из Спрус-Пайна. В основном Русский кварц выпускают такие марки сырья как RQ-2K, RQ-1K (аналоги NC4A, NC4X, NC4AFX) - используемые в производстве полупроводников, RQ-3K, RQ-2K, RQ-1K (в светотехнике и оптике); RQ-2K - для фотовольтаики; RQ-1K для оптоволоконной промышленности. Но для микроэлектронного производство, если не ошибаюсь, предпочитают пользоваться американскими NC1-LA5, NC1-LA12, NC1-LA20.
@RUSmicro
#кварц #материалы
Китай объявил о двух внутренних крупных месторождениях высокочистого кварца
Одно находится недалеко от Циньлина, провинция Хэнань, другие – в провинции Синьцзян. Общий объем заявлен в объеме более 35 млн метрических тонн. Об этом сообщает PV magazine.
Когда речь заходит о материалах для микроэлектроники, то обычно вспоминают Японию и Китай. Но по поставкам некоторых материалов, ведущие позиции в мире занимает США. В частности, это касается высокочистого кварца (HPQ), необходимого для производства кварцевого песка (SiO2) с чистотой 99,995% и выше. Такой песок востребован в производстве высокотемпературных тиглей, используемых в производстве монокристаллов кремния - сырья для выпуска пластин, на которых затем выращивают полупроводниковые структуры - будущие кристаллы для микросхем.
На сегодня многие страны зависимы от поставок HPQ из США, в частности, Китай импортирует высокочистый кварцевый песок из США на сумму более $1.5 млрд в год, в основном с рудника Спрус-Пайн (Spruce Pine), что в часе езды от Эшвилла, Северная Каролина. В Спрус-Пайн производится около 20 тысяч тонн кварца высокой чистоты в год. На долю американских компаний Sibelco и Quartz Corp. приходится более 80% мировых поставок HPQ. Но только Quartz Corp. выпускает песок достаточной для использования в микроэлектронике чистоты, например, марок NC1-LA5, NC1-LA12, NC1-LA20.
Новые китайские месторождения в перспективе позволят снизить зависимость Китая от США. Осталось всего ничего – наладить добычу, очистку и обогащение HPQ. Впрочем, задача это посильная для современного Китая. Как ожидается, переход на собственный кварц для тиглей позволит Китаю сэкономить от 1 до 2 центов на каждой пластине. Не сказать, чтобы много, важнее снижение стратегической зависимости.
В России производством кварцевого песка и изделий из него занимается предприятие Русский кварц. Используется продукция Кыштымского месторождения, которая в больше степени загрязнена примесями, чем песок из Спрус-Пайна. В основном Русский кварц выпускают такие марки сырья как RQ-2K, RQ-1K (аналоги NC4A, NC4X, NC4AFX) - используемые в производстве полупроводников, RQ-3K, RQ-2K, RQ-1K (в светотехнике и оптике); RQ-2K - для фотовольтаики; RQ-1K для оптоволоконной промышленности. Но для микроэлектронного производство, если не ошибаюсь, предпочитают пользоваться американскими NC1-LA5, NC1-LA12, NC1-LA20.
@RUSmicro
#кварц #материалы
15.04.202509:00
🇷🇺 Регулирование. Господдержка. Льготные кредиты. Россия
Льготные кредиты придут на смену госсубсидиям?
В Минпромторге, похоже, готовы отказаться от практики выдачи госсубсидий производителям и разработчикам электронных компонентов. Вместо этого отрасли предложено использовать льготное кредитование.
Разработчики промышленной инфраструктуры смогут обращаться за займами в ФРП (Фонд развития промышленности), а разработчикам электронных компонентов предлагается выбирать между РНФ (Российским научным фондом), фондом Сколково, ФСИ (Фонд содействия инновациям более известный как фонд Бортника). Для науки в РНФ обещают сохранить грантовый механизм. Об этом сегодня сообщают Ведомости.
Конкретики правил предоставления новых мер поддержки пока нет, их обещают определить в 2H2025.
До сих пор разработчики электроники могли обращаться за субсидиями в рамках ПП №109 от 17.02.2016 и №1252 от 24.07.2021.
В 2023 году на развитие микроэлектроники было направлено около 147 млрд руб. госсредств. Данные по 2024-2025 году не сообщаются.
Что повлияло на такое решение?
Причин может быть несколько.
Во-первых, вероятны бюджетные ограничения, несмотря на важность стратегической задачи развития микроэлектроники в РФ.
Во-вторых, на рынке вызревало отношение к госсубсидиям, как к своего рода «опасным» деньгам. И другие.
Возможно, что в Минпромторге учитывали не одну, а набор такого рода причин. Могли, например, повлиять бюджетные ограничения, неэффективность и нецелевой характер использования субсидий в отдельных случаях, в целом, желание перейти от прямого финансирования к рыночным механизмам. Выдача субсидий подразумевала больше ответственности для их получателей, поскольку она могла создать риск уголовной ответственности за нецелевое использование. Как минимум, в теории.
Косвенно о том, что механизм субсидий был неудобным свидетельствует то, что АРПЭ в феврале 2025 года обращалась в Минпромторг с просьбами увеличить сроки отчетности и освободить от ответственности за недостижение заданных результатов. Особенно это стало актуально в условиях антироссийских санкций.
Кредитование – в целом менее выгодный вариант для отрасли, чем субсидирование. Но оно может помочь отделить здоровые бизнесы от тех, которые способны существовать только в тепличных условиях господдержки. Но без тепличных условий выжить способны далеко не все.
Я, в целом, сторонник развития бизнесов на заемные средства, причем в обычной, а не в льготной конфигурации (конечно, при здоровой КС в 3-4%, а не в 20%). Но есть нюансы. Мы существуем не вакууме, а если посмотреть на зарубежную практику, то там в ряде стран государства серьезно и системно поддерживают развитие отрасли микроэлектроники деньгами. Разве что в США начали разворот от этой практике. Но в США такая турбулентность, что завтра все может поменяться вновь и в целом за дымом событий сейчас трудно разобрать, что же происходит.
Льготный кредит – процедура с меньшими личными рисками для менеджмента компании. Но получение кредита может стать длительной бюрократической процедурой с излишними барьерами, например требуется соответствовать требованиям детального технико-экономического обоснования или научной экспертизы.
Это движение в сторону упрощения жизни для крупных компаний, но стартапы и НИОКР окажутся под большей угрозой, если им не выделят отдельную грантовую поддержку. Крупные компании могут в качестве гарантий возврата кредита предоставить залоговое имущество, которого может не быть у стартапов.
Необходимость возврата кредитов заставит компании оптимизировать расходы и фокусироваться на рентабельных, а не инновационных продуктах. За бортом могут остаться исследования и продукты, носящие стратегическое значение, которые не могут дать быстрой окупаемости, что было бы печально. Надеюсь, регуляторы обратят на это внимание.
В общем, пока что ясно, что правила игры опять меняются. Деталей, как всегда, кот наплакал. И это не радует, даже если изменения будут к лучшему.
@RUSmicro
#регулирование #субсидирование #льготныекредиты
Льготные кредиты придут на смену госсубсидиям?
В Минпромторге, похоже, готовы отказаться от практики выдачи госсубсидий производителям и разработчикам электронных компонентов. Вместо этого отрасли предложено использовать льготное кредитование.
Разработчики промышленной инфраструктуры смогут обращаться за займами в ФРП (Фонд развития промышленности), а разработчикам электронных компонентов предлагается выбирать между РНФ (Российским научным фондом), фондом Сколково, ФСИ (Фонд содействия инновациям более известный как фонд Бортника). Для науки в РНФ обещают сохранить грантовый механизм. Об этом сегодня сообщают Ведомости.
Конкретики правил предоставления новых мер поддержки пока нет, их обещают определить в 2H2025.
До сих пор разработчики электроники могли обращаться за субсидиями в рамках ПП №109 от 17.02.2016 и №1252 от 24.07.2021.
В 2023 году на развитие микроэлектроники было направлено около 147 млрд руб. госсредств. Данные по 2024-2025 году не сообщаются.
Что повлияло на такое решение?
Причин может быть несколько.
Во-первых, вероятны бюджетные ограничения, несмотря на важность стратегической задачи развития микроэлектроники в РФ.
Во-вторых, на рынке вызревало отношение к госсубсидиям, как к своего рода «опасным» деньгам. И другие.
Возможно, что в Минпромторге учитывали не одну, а набор такого рода причин. Могли, например, повлиять бюджетные ограничения, неэффективность и нецелевой характер использования субсидий в отдельных случаях, в целом, желание перейти от прямого финансирования к рыночным механизмам. Выдача субсидий подразумевала больше ответственности для их получателей, поскольку она могла создать риск уголовной ответственности за нецелевое использование. Как минимум, в теории.
Косвенно о том, что механизм субсидий был неудобным свидетельствует то, что АРПЭ в феврале 2025 года обращалась в Минпромторг с просьбами увеличить сроки отчетности и освободить от ответственности за недостижение заданных результатов. Особенно это стало актуально в условиях антироссийских санкций.
Кредитование – в целом менее выгодный вариант для отрасли, чем субсидирование. Но оно может помочь отделить здоровые бизнесы от тех, которые способны существовать только в тепличных условиях господдержки. Но без тепличных условий выжить способны далеко не все.
Я, в целом, сторонник развития бизнесов на заемные средства, причем в обычной, а не в льготной конфигурации (конечно, при здоровой КС в 3-4%, а не в 20%). Но есть нюансы. Мы существуем не вакууме, а если посмотреть на зарубежную практику, то там в ряде стран государства серьезно и системно поддерживают развитие отрасли микроэлектроники деньгами. Разве что в США начали разворот от этой практике. Но в США такая турбулентность, что завтра все может поменяться вновь и в целом за дымом событий сейчас трудно разобрать, что же происходит.
Льготный кредит – процедура с меньшими личными рисками для менеджмента компании. Но получение кредита может стать длительной бюрократической процедурой с излишними барьерами, например требуется соответствовать требованиям детального технико-экономического обоснования или научной экспертизы.
Это движение в сторону упрощения жизни для крупных компаний, но стартапы и НИОКР окажутся под большей угрозой, если им не выделят отдельную грантовую поддержку. Крупные компании могут в качестве гарантий возврата кредита предоставить залоговое имущество, которого может не быть у стартапов.
Необходимость возврата кредитов заставит компании оптимизировать расходы и фокусироваться на рентабельных, а не инновационных продуктах. За бортом могут остаться исследования и продукты, носящие стратегическое значение, которые не могут дать быстрой окупаемости, что было бы печально. Надеюсь, регуляторы обратят на это внимание.
В общем, пока что ясно, что правила игры опять меняются. Деталей, как всегда, кот наплакал. И это не радует, даже если изменения будут к лучшему.
@RUSmicro
#регулирование #субсидирование #льготныекредиты
14.04.202518:04
(8) Полученные знания и опыт создания низкопроизводительных полевых транзисторов на базе MX2: перенос слоев, интеграция pFET, повышенная надежность
Шаблонный рост и перенос слоев материалов 2D - это интересный подход к нанесению высококачественных слоев двумерных материалов на 300-мм целевые пластины при температурах ниже 400 °C. При шаблонном росте используется «шаблонная» подложка (например, сапфир), чтобы направить рост двумерных материалов в одну ориентацию монокристалла. После этого сверхтонкие слои, охватывающие всю поверхность 300-миллиметровой пластины, необходимо перенести на целевую пластину без разрыва.
На выставке 2024 VLSI компания imec продемонстрировала технологический процесс сухого переноса MX2 размером 300 мм, который впервые привел к повторяемому процессу с превосходной однородностью по всей пластине (>99,5% морфологического выхода) [12]. Кроме того, было заметно сохранено количество дефектов по сравнению с другими подходами к переносу слоев.
Ключом к получению этих прорывных результатов является использование инициирования фронта связи (bond front initiation) во время эффективного соединения (performant bonding) и фотонного отсоединения во время высвобождения временного носителя. Инициирование фронта связи основано на первом приложении силы связи в центре пластины, которая затем распространяется к краям. Было показано, что эти методы уменьшают образование пустот, улучшают однородность соединения и дают мало остатков или вообще их не дают.
На картинке показан процесс сухого переноса, включающий формирование фронта связи и фотонный дебондинг (фотонное отсоединение). В этом тесте в качестве шаблонной подложки для выращивания пленки MX2 использовалась пластина Si/SiO2.
В imec уверены, что это показывает, что перенос слоя - жизнеспособный вариант для 2D-напыления материалов. Предлагаемый техпроцесс использует совместимые с пластинами 300 мм этапы изготовления, которые хорошо известны в производстве микросхем, в контексте 3D SoC и интеграции чиплетов. (..)
Шаблонный рост и перенос слоев материалов 2D - это интересный подход к нанесению высококачественных слоев двумерных материалов на 300-мм целевые пластины при температурах ниже 400 °C. При шаблонном росте используется «шаблонная» подложка (например, сапфир), чтобы направить рост двумерных материалов в одну ориентацию монокристалла. После этого сверхтонкие слои, охватывающие всю поверхность 300-миллиметровой пластины, необходимо перенести на целевую пластину без разрыва.
На выставке 2024 VLSI компания imec продемонстрировала технологический процесс сухого переноса MX2 размером 300 мм, который впервые привел к повторяемому процессу с превосходной однородностью по всей пластине (>99,5% морфологического выхода) [12]. Кроме того, было заметно сохранено количество дефектов по сравнению с другими подходами к переносу слоев.
Ключом к получению этих прорывных результатов является использование инициирования фронта связи (bond front initiation) во время эффективного соединения (performant bonding) и фотонного отсоединения во время высвобождения временного носителя. Инициирование фронта связи основано на первом приложении силы связи в центре пластины, которая затем распространяется к краям. Было показано, что эти методы уменьшают образование пустот, улучшают однородность соединения и дают мало остатков или вообще их не дают.
На картинке показан процесс сухого переноса, включающий формирование фронта связи и фотонный дебондинг (фотонное отсоединение). В этом тесте в качестве шаблонной подложки для выращивания пленки MX2 использовалась пластина Si/SiO2.
В imec уверены, что это показывает, что перенос слоя - жизнеспособный вариант для 2D-напыления материалов. Предлагаемый техпроцесс использует совместимые с пластинами 300 мм этапы изготовления, которые хорошо известны в производстве микросхем, в контексте 3D SoC и интеграции чиплетов. (..)
14.04.202517:19
(4) Легирование 2D-материалов
Легирование 2D-материалов имеет ключевое значение не только для формирования низкоомных контактов. Оно также необходимо для настройки порогового напряжения (Vth) в канале и для снижения сопротивления доступа. В отличие от 3D-аналогов, замещающее легирование в 2D-материалах с использованием обычной ионно-лучевой имплантации, значительно ухудшает транспортные свойства материала. Из-за тонкости слоев, замена даже одного атома в решетке, в 2D-материале приводит к более значимым эффектам, чем в 3D-материалах. Изучаются альтернативные методы легирования, например, электростатическое легирование или поверхностное легирование, но пока что не найдено оптимального решения.
Полевые транзисторы МОП p и n типа
Технология КМОП основана на комбинации полевых транзисторов с каналами n и p типа. В стандартных технологиях для формирования обоих типов полевых транзисторов используют кремний. Но пока что не найдено ни одного 2D-материала, который бы сделал это возможным. Например, используемый для n-каналов материал MoS2, не является оптимальным для p-типа. Наиболее перспективным сейчас считается WSe2.
Интеграция технологии и реального производства, необходимость повышения надежности и снижения разброса
До недавнего времени исследования 2D-материалов шли в основном в лабораториях, где могли получаться "рекордные" устройства. Но необходимы значительные усилия по дальнейшей разработки, чтобы довести технологию до возможности внедрения на производстве в масштабах пластин 300 мм [10]. Одновременно с этим потребуется повысить надежность и добиться снижения отклонений параметров получаемых устройств в ходе массового производства.
Внедрение 2D-материалов в менее производительные устройства - подходы imec
Пока ведущие производители микросхем и ученые ищут решения для внедрения 2D-материалов в каналы проводимости самых передовых транзисторов CFET, imec озаботился иным направлением, под влиянием проблем интеграции и ожидаемых затрат.
Чтобы сократить усилия и затраты на внедрение 2D-материалов в практику микроэлектроники, в imec решили поэтапно внедрять эту технологию в производство менее продвинутых узлов и в менее производительные устройства. Компания начинает фокусировать свои разработки модулей и производственного процесса работы с пластинами 300 мм для создания планарных 2D-устройств.
Как ожидается, к моменту, когда понадобится интегрировать 2D в очень сложные архитектуры CFET, мы сможем задействовать то, чем мы научимся. 2D-материалы уже будут внедрены в практику фаба, работающего с пластинами 300 мм, будут готовы решения для диэлектрического осаждения и формирования контактов исток / сток. Будут изучены пути повышения надежности и снижения вариативности. Далее - подробности. (..)
Легирование 2D-материалов имеет ключевое значение не только для формирования низкоомных контактов. Оно также необходимо для настройки порогового напряжения (Vth) в канале и для снижения сопротивления доступа. В отличие от 3D-аналогов, замещающее легирование в 2D-материалах с использованием обычной ионно-лучевой имплантации, значительно ухудшает транспортные свойства материала. Из-за тонкости слоев, замена даже одного атома в решетке, в 2D-материале приводит к более значимым эффектам, чем в 3D-материалах. Изучаются альтернативные методы легирования, например, электростатическое легирование или поверхностное легирование, но пока что не найдено оптимального решения.
Полевые транзисторы МОП p и n типа
Технология КМОП основана на комбинации полевых транзисторов с каналами n и p типа. В стандартных технологиях для формирования обоих типов полевых транзисторов используют кремний. Но пока что не найдено ни одного 2D-материала, который бы сделал это возможным. Например, используемый для n-каналов материал MoS2, не является оптимальным для p-типа. Наиболее перспективным сейчас считается WSe2.
Интеграция технологии и реального производства, необходимость повышения надежности и снижения разброса
До недавнего времени исследования 2D-материалов шли в основном в лабораториях, где могли получаться "рекордные" устройства. Но необходимы значительные усилия по дальнейшей разработки, чтобы довести технологию до возможности внедрения на производстве в масштабах пластин 300 мм [10]. Одновременно с этим потребуется повысить надежность и добиться снижения отклонений параметров получаемых устройств в ходе массового производства.
Внедрение 2D-материалов в менее производительные устройства - подходы imec
Пока ведущие производители микросхем и ученые ищут решения для внедрения 2D-материалов в каналы проводимости самых передовых транзисторов CFET, imec озаботился иным направлением, под влиянием проблем интеграции и ожидаемых затрат.
Чтобы сократить усилия и затраты на внедрение 2D-материалов в практику микроэлектроники, в imec решили поэтапно внедрять эту технологию в производство менее продвинутых узлов и в менее производительные устройства. Компания начинает фокусировать свои разработки модулей и производственного процесса работы с пластинами 300 мм для создания планарных 2D-устройств.
Как ожидается, к моменту, когда понадобится интегрировать 2D в очень сложные архитектуры CFET, мы сможем задействовать то, чем мы научимся. 2D-материалы уже будут внедрены в практику фаба, работающего с пластинами 300 мм, будут готовы решения для диэлектрического осаждения и формирования контактов исток / сток. Будут изучены пути повышения надежности и снижения вариативности. Далее - подробности. (..)
14.04.202515:28
🇷🇺 Разработки. Принтеры. Аддитивные технологии. Россия
В МФТИ разработали принтер сухой аэрозольной микропечати
В 2025 году, как ожидается, завершится тестирование принтера, который разрабатывался в течение 9 лет. Об этом сообщает сайт МФТИ.
Ожидаемые применения: формирование монолитных проводящих микроструктур СВЧ-электроники; формирование плазмонных наноструктур для использования в оптоэлектронике.
Принтер может формировать на подложке микроструктуры с шириной линий от 30 до 400 мкм. Для этого принтер синтезирует и модифицирует наночастицы размером от 50нм до 300нм. Печать проводится аэрозольным пучком. Лазер обеспечивает спекание массива наночастиц на подложке. Варьируя размеры наносимых на подложку наночастиц, можно настраивать резонансные свойства структуры для конкретных задач. Отмечается высокая адгезия наночастиц к поверхности подложки.
После завершения тестирования опытного образца будет подготовлена конструкторская документация для серийного производства принтеров.
@RUSmicro, фото - МФТИ
#микропечать
В МФТИ разработали принтер сухой аэрозольной микропечати
В 2025 году, как ожидается, завершится тестирование принтера, который разрабатывался в течение 9 лет. Об этом сообщает сайт МФТИ.
Ожидаемые применения: формирование монолитных проводящих микроструктур СВЧ-электроники; формирование плазмонных наноструктур для использования в оптоэлектронике.
Принтер может формировать на подложке микроструктуры с шириной линий от 30 до 400 мкм. Для этого принтер синтезирует и модифицирует наночастицы размером от 50нм до 300нм. Печать проводится аэрозольным пучком. Лазер обеспечивает спекание массива наночастиц на подложке. Варьируя размеры наносимых на подложку наночастиц, можно настраивать резонансные свойства структуры для конкретных задач. Отмечается высокая адгезия наночастиц к поверхности подложки.
После завершения тестирования опытного образца будет подготовлена конструкторская документация для серийного производства принтеров.
@RUSmicro, фото - МФТИ
#микропечать
11.04.202513:33
🇺🇸 Горизонты технологий. Охлаждение микропроцессоров. США
Как охладить чип точно там, где необходимо? Лазером!
Американский стартап Maxwell Labs при поддержке Sandia National Labs работает над новой технологией, которая должна будет охлаждать высокопроизводительную вычислительную технику с помощью лазеров. Об этом пишет Tom’s hardware со ссылкой на The Register.
Рассеяние тепла – серьезная проблема для ЦОД. Много лет подряд эта отрасль полагалась на воздушное охлаждение, фрикулинг и т.п., затем передовые компании начали экспериментировать с жидкостным охлаждением – теплой и холодной водой, а также с иммерсионным охлаждением. А вот лазеры пока что не использовали. Настало время попробовать и этот способ?
Стартап Maxwell Labs при поддержке Sandia National Labs работает над новым способом охлаждения высокопроизводительного вычислительного оборудования. Способ основан на использовании «холодильных пластин» из сверхчистого арсенида галлия (GaAs).
Такие пластины, если на них падает сфокусированные пучки когерентного лазерного света определенной длины волны, не нагреваются, как можно ожидать на основе опыта взаимодействия с лазерами, а наоборот, охлаждается. Что позволяет отводить тепло там, где это требуется.
Конечно, это не способ замены традиционных систем охлаждения, но дальнейшее их технологическое усложнение ради повышения эффективности.
В практическом приложении из сверхчистого GaAs формируют тонкие компоненты, располагая их на высокотемпературных участках процессора. Структура внутри полупроводника GaAs направляет когерентные пучки точно в необходимые «горячие точки», что вызывает их высоколокализованное охлаждение.
Технологией занимаются не первый год, в 2021 году в Копенгагенском университете аналогичным образом охладили небольшую мембрану до -269 °C.
Интересно, что технология в теории позволяет еще и рекуперировать часть потраченной на охлаждение энергии. Тепло, снятое с чипа, можно преобразовать в световое излучение, а его – в электрическую энергию. Не сообщается, насколько высокий к.п.д. может быть у этого процесса, скорее всего, не очень высокий, но в современных ЦОД важен каждый процент энергоэффективности.
Есть немало проблем на пути новой технологии. В частности, производство сверхчистых пластин GaAs требует сложных и энергоемких методов, таких как молекулярно-лучевая эпитаксия (MBE) или химическое осаждение из паровой фазы металлоорганических соединений (MOCVD). Уровень дефектов тоже может влиять на затраты. Цена не будет скромной. Например, 200 мм пластина GaAs сейчас может стоить около $5000, тогда как кремниевая пластина того же размера - $5.
GaAs транзисторы пока не научились бесшовно интегрировать с традиционными кремниевыми в рамках одной пластины. Но сейчас, конечно, возможна гетерогенная 3D-интеграция, соединение пластин. Это тоже дорого, но не так дорого, если сравнивать с ценой пластины GaAs.
В общем, пока что эта технология еще на стадии экспериментов и моделей. Еще никто не доходил до стадии даже опытной установки. В Maxwell Labs рассчитывают соорудить функционирующий прототип к осени 2025 года. Несмотря на это, компания уже нашла покупателей, которые готовы приобрести первую версию такой системы MXL-Gen1 и готовится поставить ей коммерческие решения в 2026 или 2027 году. Если все пройдет по плану, то с конца 2027 года технологию начнут коммерциализовать.
@RUSmicro
#горизонты #охлаждение
Как охладить чип точно там, где необходимо? Лазером!
Американский стартап Maxwell Labs при поддержке Sandia National Labs работает над новой технологией, которая должна будет охлаждать высокопроизводительную вычислительную технику с помощью лазеров. Об этом пишет Tom’s hardware со ссылкой на The Register.
Рассеяние тепла – серьезная проблема для ЦОД. Много лет подряд эта отрасль полагалась на воздушное охлаждение, фрикулинг и т.п., затем передовые компании начали экспериментировать с жидкостным охлаждением – теплой и холодной водой, а также с иммерсионным охлаждением. А вот лазеры пока что не использовали. Настало время попробовать и этот способ?
Стартап Maxwell Labs при поддержке Sandia National Labs работает над новым способом охлаждения высокопроизводительного вычислительного оборудования. Способ основан на использовании «холодильных пластин» из сверхчистого арсенида галлия (GaAs).
Такие пластины, если на них падает сфокусированные пучки когерентного лазерного света определенной длины волны, не нагреваются, как можно ожидать на основе опыта взаимодействия с лазерами, а наоборот, охлаждается. Что позволяет отводить тепло там, где это требуется.
Конечно, это не способ замены традиционных систем охлаждения, но дальнейшее их технологическое усложнение ради повышения эффективности.
В практическом приложении из сверхчистого GaAs формируют тонкие компоненты, располагая их на высокотемпературных участках процессора. Структура внутри полупроводника GaAs направляет когерентные пучки точно в необходимые «горячие точки», что вызывает их высоколокализованное охлаждение.
Технологией занимаются не первый год, в 2021 году в Копенгагенском университете аналогичным образом охладили небольшую мембрану до -269 °C.
Интересно, что технология в теории позволяет еще и рекуперировать часть потраченной на охлаждение энергии. Тепло, снятое с чипа, можно преобразовать в световое излучение, а его – в электрическую энергию. Не сообщается, насколько высокий к.п.д. может быть у этого процесса, скорее всего, не очень высокий, но в современных ЦОД важен каждый процент энергоэффективности.
Есть немало проблем на пути новой технологии. В частности, производство сверхчистых пластин GaAs требует сложных и энергоемких методов, таких как молекулярно-лучевая эпитаксия (MBE) или химическое осаждение из паровой фазы металлоорганических соединений (MOCVD). Уровень дефектов тоже может влиять на затраты. Цена не будет скромной. Например, 200 мм пластина GaAs сейчас может стоить около $5000, тогда как кремниевая пластина того же размера - $5.
GaAs транзисторы пока не научились бесшовно интегрировать с традиционными кремниевыми в рамках одной пластины. Но сейчас, конечно, возможна гетерогенная 3D-интеграция, соединение пластин. Это тоже дорого, но не так дорого, если сравнивать с ценой пластины GaAs.
В общем, пока что эта технология еще на стадии экспериментов и моделей. Еще никто не доходил до стадии даже опытной установки. В Maxwell Labs рассчитывают соорудить функционирующий прототип к осени 2025 года. Несмотря на это, компания уже нашла покупателей, которые готовы приобрести первую версию такой системы MXL-Gen1 и готовится поставить ей коммерческие решения в 2026 или 2027 году. Если все пройдет по плану, то с конца 2027 года технологию начнут коммерциализовать.
@RUSmicro
#горизонты #охлаждение
17.04.202513:44
🇺🇸 Регулирование. Экспортные барьеры. ИИ-чипы. США
В США готовят требования по лицензированию экспорта ИИ чипов Nvidia и AMD в Китай
Об этом на этой неделе заявил Минторг США. Речь идет, в том числе, о чипах H20 и MI308, а также об аналогичных.
Ранее Nvidia заявляла, что компании грозят потери на сумму порядка $5.5 млрд из-за новых экспортных ограничений США в отношении продаж продукции компании Nvidia в Китай. Для Nvidia китайский рынок был и остается ключевым в последние годы.
Американские компании новое «регулирование», мягко говоря, не поддерживают. Гендиректор Nvidia Дженсен Хуан сейчас находится в Китае, где на встрече с Жэнь Хунбинем, главой Китайского совета по содействию международной торговле, заявил: «Мы надеемся продолжать сотрудничество с Китаем». В AMD ситуацию не комментируют, но роль китайского рынка и для этой компании, мягко говоря, весьма существенная.
Действия США создали немалые неопределенности для китайских интернет-компаний, например, для Tencent, ByteDance и Alibaba, которые активно наращивали заказы на чипы типа H20 для создания инфраструктуры таких моделей ИИ, как DeepSeek.
В целом - ничего нового. Несмотря на постоянное выяснение фактов, указывающих на неэффективность экспортных ограничений, в США продолжают пытаться тормозить развитие ИИ технологий в Китае мерами ужесточения экспортного контроля. Естественно, к неудовольствию американских производителей, для которых рынок Китая - это многомиллиардная выручка от поставок на него ИИ-чипов.
А еще это бустит китайские активности по разработке и выпуску собственных чипов ИИ. Понимая, что цель экспортного контроля США - максимально затруднить получение "западных" ИИ-чипов, в Китае вынуждены беспрецедентно поддерживать все попытки создания собственных. Рано или поздно эта деятельность увенчается успехом. Что сделает американские ограничения окончательно неэффективными.
Вопрос лишь в том, не ожидают ли в США чего-то, что должно произойти раньше, чем китайцы наладят свой собственный выпуск ИИ-чипов в необходимых им объемах?
@RUSmicro
#ИИчипы
В США готовят требования по лицензированию экспорта ИИ чипов Nvidia и AMD в Китай
Об этом на этой неделе заявил Минторг США. Речь идет, в том числе, о чипах H20 и MI308, а также об аналогичных.
Ранее Nvidia заявляла, что компании грозят потери на сумму порядка $5.5 млрд из-за новых экспортных ограничений США в отношении продаж продукции компании Nvidia в Китай. Для Nvidia китайский рынок был и остается ключевым в последние годы.
Американские компании новое «регулирование», мягко говоря, не поддерживают. Гендиректор Nvidia Дженсен Хуан сейчас находится в Китае, где на встрече с Жэнь Хунбинем, главой Китайского совета по содействию международной торговле, заявил: «Мы надеемся продолжать сотрудничество с Китаем». В AMD ситуацию не комментируют, но роль китайского рынка и для этой компании, мягко говоря, весьма существенная.
Действия США создали немалые неопределенности для китайских интернет-компаний, например, для Tencent, ByteDance и Alibaba, которые активно наращивали заказы на чипы типа H20 для создания инфраструктуры таких моделей ИИ, как DeepSeek.
В целом - ничего нового. Несмотря на постоянное выяснение фактов, указывающих на неэффективность экспортных ограничений, в США продолжают пытаться тормозить развитие ИИ технологий в Китае мерами ужесточения экспортного контроля. Естественно, к неудовольствию американских производителей, для которых рынок Китая - это многомиллиардная выручка от поставок на него ИИ-чипов.
А еще это бустит китайские активности по разработке и выпуску собственных чипов ИИ. Понимая, что цель экспортного контроля США - максимально затруднить получение "западных" ИИ-чипов, в Китае вынуждены беспрецедентно поддерживать все попытки создания собственных. Рано или поздно эта деятельность увенчается успехом. Что сделает американские ограничения окончательно неэффективными.
Вопрос лишь в том, не ожидают ли в США чего-то, что должно произойти раньше, чем китайцы наладят свой собственный выпуск ИИ-чипов в необходимых им объемах?
@RUSmicro
#ИИчипы
14.04.202519:32
🇷🇺 Промышленная электроника. Промышленные контроллеры. Россия
На российском рынке ПЛК появится еще один участник – с немалыми амбициями
В проект по выпуску промышленных контроллеров для энергетики решил вложиться Александр Калинин (известный по Аквариусу и другим проектам) и экс-вице-президент Ланита Сергей Белкин. Об этом рассказывает CNews, но подробностей пока маловато.
Производить ПЛК планируется в Пензе, где для этого предприниматели приобрели промышленное предприятие. Интересно, какое – в Пензе есть, например, ООО НПО Техноинтеграция, с опытом сборки и программирования ПЛК, а также НПФ КРУГ, которое выпускает ПЛК? Таких данных нет, не называется и объем инвестиций в проект. Для проекта создано ООО ЦР.
Г-н Белкин оценивает рынок ПЛК в России в более, чем 200 млрд рублей и собирается двигаться к производству от 100 тысяч ПЛК в год и более.
100 тысяч в год, это очень большой объем. Если примерно оценить стоимость ПЛК среднего класса в 100-200 тысяч рублей, то 100 тысяч в год, это 10-20 млрд руб., то есть это претензия на занятие двузначной доли российского рынка ПЛК.
После ухода с нашего рынка ряда зарубежных компаний, а доминировали на рынке компании из США, Европы и Японии, освободившееся место заняли частично китайские, индийские и турецкие производители, а также в 4-5 раз нарастили свою долю рынка российские производители ПЛК.
Выделю несколько крупнейших участников этого рынка - московскую ОВЕН, питерскую Сегнетикс, Текон, Контар и другие, всего их более двух десятков, на долю рынка основных игроков приходится менее 20% рынка, так что можно говорить о его высокой диверсификации. Так что новому игроку придется столкнуться с конкуренцией.
Сложности на российском рынке ПЛК традиционные, общие для многих видов электроники - отсутствие собственных электронных компонентов, прежде всего, современных микропроцессоров достаточно производительных и доступных серийно, высокоточных АЦП/ЦАП и других необходимых аналоговых компонентов.
Российское ПО пока что не достигло всех привычных функциональностей западного ПО типа Siemens TIA Portal, Rockwell Studio 5000 и т.п., переход на Нейтрино или Astra Linuх требует переписывания драйверов. Переход с Profinet или Ether CAT на другие решения может снижать совместимость с оборудованием.
Есть и кадровая проблема, специалистов по проектированию и программированию ПЛК найти сложно, да еще с опытом программирования российских процессоров. Большинство из существующих могут работать с Siemens/Rockwell, но не с отечественными средами. Необходимости соответствия требованиям ФСТЭК/ФСБ добавляют сложностей разработкам.
Современные решения подразумевают опору на ИИ, например, для предиктивной аналитики, но российские процессоры как правило, не рассчитаны на нагрузки, характерные для ИИ.
Безусловно, ограничителем могут быть финансы. Разработка ПЛК с нуля может стоить десятки миллионов рублей, ближе к сотне, но если эта стоимость "упадет" в цену нескольких ПЛК, их никто не купит из-за заоблачной цены. Отсюда, вероятно, и планы выпускать десятки тысяч ПЛК в год, чтобы "размазать" по ним стоимость разработки.
Исходя из ниши – атомная и другая энергетика, можно предположить, что речь идет о специализированных ПЛК, от которых требуется работа в экстремальных условиях - с широким температурным диапазоном, радстойкость компонентов, российские процессоры и российское ПО (для полной импортнезависимости), поддержка отечественной криптографии. Впрочем, это лишь гипотезы.
@RUSmicro, картинка ПЛК Schneider - для примера, а то некоторые путают промышленные контроллеры с микроконтроллерами (хотя последние тоже могут играть роль промышленных контроллеров в каких-то совсем простеньких применениях).
#ПЛК
На российском рынке ПЛК появится еще один участник – с немалыми амбициями
В проект по выпуску промышленных контроллеров для энергетики решил вложиться Александр Калинин (известный по Аквариусу и другим проектам) и экс-вице-президент Ланита Сергей Белкин. Об этом рассказывает CNews, но подробностей пока маловато.
Производить ПЛК планируется в Пензе, где для этого предприниматели приобрели промышленное предприятие. Интересно, какое – в Пензе есть, например, ООО НПО Техноинтеграция, с опытом сборки и программирования ПЛК, а также НПФ КРУГ, которое выпускает ПЛК? Таких данных нет, не называется и объем инвестиций в проект. Для проекта создано ООО ЦР.
Г-н Белкин оценивает рынок ПЛК в России в более, чем 200 млрд рублей и собирается двигаться к производству от 100 тысяч ПЛК в год и более.
100 тысяч в год, это очень большой объем. Если примерно оценить стоимость ПЛК среднего класса в 100-200 тысяч рублей, то 100 тысяч в год, это 10-20 млрд руб., то есть это претензия на занятие двузначной доли российского рынка ПЛК.
После ухода с нашего рынка ряда зарубежных компаний, а доминировали на рынке компании из США, Европы и Японии, освободившееся место заняли частично китайские, индийские и турецкие производители, а также в 4-5 раз нарастили свою долю рынка российские производители ПЛК.
Выделю несколько крупнейших участников этого рынка - московскую ОВЕН, питерскую Сегнетикс, Текон, Контар и другие, всего их более двух десятков, на долю рынка основных игроков приходится менее 20% рынка, так что можно говорить о его высокой диверсификации. Так что новому игроку придется столкнуться с конкуренцией.
Сложности на российском рынке ПЛК традиционные, общие для многих видов электроники - отсутствие собственных электронных компонентов, прежде всего, современных микропроцессоров достаточно производительных и доступных серийно, высокоточных АЦП/ЦАП и других необходимых аналоговых компонентов.
Российское ПО пока что не достигло всех привычных функциональностей западного ПО типа Siemens TIA Portal, Rockwell Studio 5000 и т.п., переход на Нейтрино или Astra Linuх требует переписывания драйверов. Переход с Profinet или Ether CAT на другие решения может снижать совместимость с оборудованием.
Есть и кадровая проблема, специалистов по проектированию и программированию ПЛК найти сложно, да еще с опытом программирования российских процессоров. Большинство из существующих могут работать с Siemens/Rockwell, но не с отечественными средами. Необходимости соответствия требованиям ФСТЭК/ФСБ добавляют сложностей разработкам.
Современные решения подразумевают опору на ИИ, например, для предиктивной аналитики, но российские процессоры как правило, не рассчитаны на нагрузки, характерные для ИИ.
Безусловно, ограничителем могут быть финансы. Разработка ПЛК с нуля может стоить десятки миллионов рублей, ближе к сотне, но если эта стоимость "упадет" в цену нескольких ПЛК, их никто не купит из-за заоблачной цены. Отсюда, вероятно, и планы выпускать десятки тысяч ПЛК в год, чтобы "размазать" по ним стоимость разработки.
Исходя из ниши – атомная и другая энергетика, можно предположить, что речь идет о специализированных ПЛК, от которых требуется работа в экстремальных условиях - с широким температурным диапазоном, радстойкость компонентов, российские процессоры и российское ПО (для полной импортнезависимости), поддержка отечественной криптографии. Впрочем, это лишь гипотезы.
@RUSmicro, картинка ПЛК Schneider - для примера, а то некоторые путают промышленные контроллеры с микроконтроллерами (хотя последние тоже могут играть роль промышленных контроллеров в каких-то совсем простеньких применениях).
#ПЛК
14.04.202517:52
(7) Нанолисты GAA и CFET на основе 2D
Идут разработки того, о чем говорилось выше в условиях чистой комнаты, где налажен процесс работы с пластинами 300 мм. В то же время imec занимается и темой внедрения 2D-материалов в качестве каналов проводимости в транзисторы на основе нанолистов GAA. Эти исследования проводятся лабораторно, но при этом используются совместимые с контрактным производством инструменты и процессы.
Цель этих исследований - изучение влияния интеграции 2D-материалов на модули, специфичные для нанолистов, что может потребоваться в CFET в долгосрочной перспективе. Подумайте, например, о высвобождении каналов нанолистов, формировании внутреннего спейсера и этапе интеграции затвора с заменяющим металлом. (..)
Идут разработки того, о чем говорилось выше в условиях чистой комнаты, где налажен процесс работы с пластинами 300 мм. В то же время imec занимается и темой внедрения 2D-материалов в качестве каналов проводимости в транзисторы на основе нанолистов GAA. Эти исследования проводятся лабораторно, но при этом используются совместимые с контрактным производством инструменты и процессы.
Цель этих исследований - изучение влияния интеграции 2D-материалов на модули, специфичные для нанолистов, что может потребоваться в CFET в долгосрочной перспективе. Подумайте, например, о высвобождении каналов нанолистов, формировании внутреннего спейсера и этапе интеграции затвора с заменяющим металлом. (..)
14.04.202516:58
(3) Проблемы интеграции 2D материалов в перспективные узлы
Значительный скачок производительности, который мы ожидаем получить от применения 2D-канальных материалов для новых узлов, вызвал интерес у крупных производителей микросхем и в научных организациях. Можно отметить значительные инвестиции в исследования и разработки в этой теме, чтобы преодолеть препятствия на пути внедрения 2D-материалов. Такая интеграция действительно представила целый набор проблем, что увеличивает затраты и усилия, которые необходимы для движения к узлу A2.
Осаждение 2D-материалов
Прежде всего, стоит помнить о сложностях формирования слоев 2D-материалов методом осаждения. Для применения в высокопроизводительных устройствах обычно используют 2 пути:
🔸 Прямое выращивание 2D-слоя на целевой подложке;
🔸 Выращивание 2D-слоя на "подложке роста" с последующим отслаиванием и переносом слоя на целевую подложку
Прямое выращивание 2D-слоя обычно требует определенных подложек и высоких температур (порядка 1000 °C). Если требуется применять процессы и материалы, характерные для современного производства (а не лабораторные методы), то оказывается, что подложка скорее всего будет не идеальной для того, чтобы достичь высокой степени кристаллизации, а это негативно скажется на характеристиках сформированной пленки. И все же, этот пут может обеспечить необходимую конформность, покрытие на уровне пластины и совместимость с промышленными процессами.
При втором подходе вырастить 2D-слои можно на "идеальной" подложке (в этом качестве нередко используют сапфир), что облегчит получение высококачественных пленок и их последующий перенос на целевую пластину. Для переноса достаточно гораздо более скромных температур (около 300 °C). Но, очевидно, что этот метод состоит из большего количества этапов, что может негативно влиять, как на стоимость, так и на показатель выхода годных процесса изготовления чипа, что опять-таки окажет негативное влияние на стоимость.
Интеграция стека затворов
Вторая проблема связана с интеграцией стека затворов и осаждением диэлектрика. По иронии судьбы, именно та причина, которая позволяет делать столь тонкими 2D-материалы, усложняет осаждение диэлектрика. Слои 2D-материала вертикально связаны друг с другом очень слабыми силами Ван-дер-Ваальса (vdW), оставляя поверхность материала в основном пассивированной, без оборванных связей. Это создает проблему использования "классических" методов осаждения, которые так хорошо себя зарекомендовали в традиционных кремниевых процессах, включая метод осаждения атомных слоев (ALD), поскольку они основываются на взаимодействии с оборванными связями на поверхности слоя.
В последние годы imec и ведущие производители микросхем добились значительного прогресса. Были показаны нанолистовые 2D-каналы n-типа с интегрированными стеками затворов. Хотя и, в основном, в лабораторных устройствах [1-6].
Контакты исток / сток с низким сопротивлением
Третья важная пробема связана с формированием контактов исток / сток с низким сопротивлением. В случае кремния, контакты формируются за счет того, что металл приводят в соприкосновение с областями истока / стока, что создает барьер Шоттки на границе раздела. Затем носители зарядов могут быть инжектированы в источник посредством туннелирования. Для обеспечения низкоомности применяют 2 ключевых метода: (1) - сильное легирование областей истока/стока; (2) - образование силицидов. Проблема в том, что эти методы очень трудно реализовать на тонких слоях 2D-материалов, что побуждает исследователей искать альтернативные решения [7-9]. (..)
На картинке - слои 2D-материала (WS2), связанные по вертикали слабыми силами Ван-дер-Ваальса.
Значительный скачок производительности, который мы ожидаем получить от применения 2D-канальных материалов для новых узлов, вызвал интерес у крупных производителей микросхем и в научных организациях. Можно отметить значительные инвестиции в исследования и разработки в этой теме, чтобы преодолеть препятствия на пути внедрения 2D-материалов. Такая интеграция действительно представила целый набор проблем, что увеличивает затраты и усилия, которые необходимы для движения к узлу A2.
Осаждение 2D-материалов
Прежде всего, стоит помнить о сложностях формирования слоев 2D-материалов методом осаждения. Для применения в высокопроизводительных устройствах обычно используют 2 пути:
🔸 Прямое выращивание 2D-слоя на целевой подложке;
🔸 Выращивание 2D-слоя на "подложке роста" с последующим отслаиванием и переносом слоя на целевую подложку
Прямое выращивание 2D-слоя обычно требует определенных подложек и высоких температур (порядка 1000 °C). Если требуется применять процессы и материалы, характерные для современного производства (а не лабораторные методы), то оказывается, что подложка скорее всего будет не идеальной для того, чтобы достичь высокой степени кристаллизации, а это негативно скажется на характеристиках сформированной пленки. И все же, этот пут может обеспечить необходимую конформность, покрытие на уровне пластины и совместимость с промышленными процессами.
При втором подходе вырастить 2D-слои можно на "идеальной" подложке (в этом качестве нередко используют сапфир), что облегчит получение высококачественных пленок и их последующий перенос на целевую пластину. Для переноса достаточно гораздо более скромных температур (около 300 °C). Но, очевидно, что этот метод состоит из большего количества этапов, что может негативно влиять, как на стоимость, так и на показатель выхода годных процесса изготовления чипа, что опять-таки окажет негативное влияние на стоимость.
Интеграция стека затворов
Вторая проблема связана с интеграцией стека затворов и осаждением диэлектрика. По иронии судьбы, именно та причина, которая позволяет делать столь тонкими 2D-материалы, усложняет осаждение диэлектрика. Слои 2D-материала вертикально связаны друг с другом очень слабыми силами Ван-дер-Ваальса (vdW), оставляя поверхность материала в основном пассивированной, без оборванных связей. Это создает проблему использования "классических" методов осаждения, которые так хорошо себя зарекомендовали в традиционных кремниевых процессах, включая метод осаждения атомных слоев (ALD), поскольку они основываются на взаимодействии с оборванными связями на поверхности слоя.
В последние годы imec и ведущие производители микросхем добились значительного прогресса. Были показаны нанолистовые 2D-каналы n-типа с интегрированными стеками затворов. Хотя и, в основном, в лабораторных устройствах [1-6].
Контакты исток / сток с низким сопротивлением
Третья важная пробема связана с формированием контактов исток / сток с низким сопротивлением. В случае кремния, контакты формируются за счет того, что металл приводят в соприкосновение с областями истока / стока, что создает барьер Шоттки на границе раздела. Затем носители зарядов могут быть инжектированы в источник посредством туннелирования. Для обеспечения низкоомности применяют 2 ключевых метода: (1) - сильное легирование областей истока/стока; (2) - образование силицидов. Проблема в том, что эти методы очень трудно реализовать на тонких слоях 2D-материалов, что побуждает исследователей искать альтернативные решения [7-9]. (..)
На картинке - слои 2D-материала (WS2), связанные по вертикали слабыми силами Ван-дер-Ваальса.
14.04.202506:04
🇺🇸 Тарифные войны. Полупроводники. США
В США временно освободили бытовую электронику и полупроводники (включая оборудование для их производства) от тарифа 125% для Китая (остался отдельный "фентанильный" тариф 20%) и 10% фиксированной ставки для других стран (пока что будет 0%). Об этом сообщает Bloomberg.
Вместе с тем, Трамп заявил, что отсрочка временная, что более высокие пошлины на телефоны, компьютеры и другую популярную бытовую электронику, полупроводники и оборудование для их производства еще появятся: "Никто не сойдет с крючка". Позднее (вероятно через несколько недель, месяц или 2 месяца) будет введен специфический секторальный налог. Впрочем, многие уверены, что этот налог даже для Китая будет ниже 125%. Прогнозировать его величину сложно, пока что можно ориентироваться разве что на секторальные пошлины, которые уже введены в других отраслях и установлены на уровне 25%.
В Китае эти действия называют "небольшим шагом США к исправлению своих неправомерных действий в виде односторонних "взаимных тарифов".
Согласно оценкам центра RAND China, временные исключения по налогу охватывают импорт США примерно на 390 млрд, включая более 101 млрд импорта из Китая.
Вся эта чехарда продолжит давить на рынок, причем разнонаправленно. Кто-то постарается снизить цены, чтобы продать побольше, пока пошлины не действуют. Кто-то начнет повышать цены, закладывая в них грядущие повышения из-за пошлин. Цепочки поставок, которые еще несколько лет тому назад в "первый период глобализации" работали как хорошие часы, вновь будет лихорадить, что почувствуют на себе не только в США, но, например, и в РФ.
@RUSmicro
#геополитика
В США временно освободили бытовую электронику и полупроводники (включая оборудование для их производства) от тарифа 125% для Китая (остался отдельный "фентанильный" тариф 20%) и 10% фиксированной ставки для других стран (пока что будет 0%). Об этом сообщает Bloomberg.
Вместе с тем, Трамп заявил, что отсрочка временная, что более высокие пошлины на телефоны, компьютеры и другую популярную бытовую электронику, полупроводники и оборудование для их производства еще появятся: "Никто не сойдет с крючка". Позднее (вероятно через несколько недель, месяц или 2 месяца) будет введен специфический секторальный налог. Впрочем, многие уверены, что этот налог даже для Китая будет ниже 125%. Прогнозировать его величину сложно, пока что можно ориентироваться разве что на секторальные пошлины, которые уже введены в других отраслях и установлены на уровне 25%.
В Китае эти действия называют "небольшим шагом США к исправлению своих неправомерных действий в виде односторонних "взаимных тарифов".
Согласно оценкам центра RAND China, временные исключения по налогу охватывают импорт США примерно на 390 млрд, включая более 101 млрд импорта из Китая.
Вся эта чехарда продолжит давить на рынок, причем разнонаправленно. Кто-то постарается снизить цены, чтобы продать побольше, пока пошлины не действуют. Кто-то начнет повышать цены, закладывая в них грядущие повышения из-за пошлин. Цепочки поставок, которые еще несколько лет тому назад в "первый период глобализации" работали как хорошие часы, вновь будет лихорадить, что почувствуют на себе не только в США, но, например, и в РФ.
@RUSmicro
#геополитика
11.04.202511:34
🇨🇳 🇺🇸 Торговые войны. Госрегулирование. Китай
Американским производителям микросхем в Китае предлагают лазейку
Для такой отрасли, как микроэлектроника с ее многоступенчатыми цепочками поставок, включающими многие страны, «битва пошлин», которую затеяли чиновники США и Китая, весьма болезненна.
В Китае пытаются «подстелить соломку». В «срочном уведомлении» в своем аккаунте WeChat Китайская ассоциация полупроводниковой промышленности (CSIA), представляющая крупнейшие компании Китая в области производства микросхем, сообщает, что «для всех интегральных схем, как упакованных, так и неупакованных, заявленной страной происхождения для импортных таможенных закупок, является местонахождение завода по производству пластин». Об этом сообщает Reuters.
Это важное замечание, которое, если соответствует официальной позиции Китая, означает что продукцию американских компаний Nvidia, Qualcomm и AMD, которые выпускают свои пластины на TSMC, таможенные органы Китая готовы рассматривать как «тайваньскую», не применяя к ней запретительные пошлины, введенные против американских товаров. В отличие от продукции Texas Instruments, ADI, On Semi и других, кто выпускает свою продукцию на фабах в США.
Эта лазейка, если она будет действовать, обещает светлое будущее для контрактных производств за пределами США, Китай продолжит закупать произведенную на них американскую продукцию без санкций, что будет стимулировать американские предприятия к размещению своих заказов на таких предприятиях за пределами США.
@RUSmicro
#торговыевойны
Американским производителям микросхем в Китае предлагают лазейку
Для такой отрасли, как микроэлектроника с ее многоступенчатыми цепочками поставок, включающими многие страны, «битва пошлин», которую затеяли чиновники США и Китая, весьма болезненна.
В Китае пытаются «подстелить соломку». В «срочном уведомлении» в своем аккаунте WeChat Китайская ассоциация полупроводниковой промышленности (CSIA), представляющая крупнейшие компании Китая в области производства микросхем, сообщает, что «для всех интегральных схем, как упакованных, так и неупакованных, заявленной страной происхождения для импортных таможенных закупок, является местонахождение завода по производству пластин». Об этом сообщает Reuters.
Это важное замечание, которое, если соответствует официальной позиции Китая, означает что продукцию американских компаний Nvidia, Qualcomm и AMD, которые выпускают свои пластины на TSMC, таможенные органы Китая готовы рассматривать как «тайваньскую», не применяя к ней запретительные пошлины, введенные против американских товаров. В отличие от продукции Texas Instruments, ADI, On Semi и других, кто выпускает свою продукцию на фабах в США.
Эта лазейка, если она будет действовать, обещает светлое будущее для контрактных производств за пределами США, Китай продолжит закупать произведенную на них американскую продукцию без санкций, что будет стимулировать американские предприятия к размещению своих заказов на таких предприятиях за пределами США.
@RUSmicro
#торговыевойны
16.04.202515:47
🇷🇺 Производственное оборудование. Литограф 350нм. Россия
ЗНТЦ и Элемент подписали соглашение о сотрудничестве в области фотолитографа 350 нм
Соглашение о сотрудничестве «для производства микроэлектроники» заключено 16.04.2025 на выставке ExpoElectronica 2025. Касается оно намерения компаний «обеспечить поставку оборудования и разработку технологии отечественного фотолитографического оборудования с нормами 350 нм». С этой целью компании планируют «проводить совместную работу по постановке технологических процессов на оборудовании с целью оценки возможностей использования оборудования в действующих и планируемых технологических маршрутах».
Немного странно, что не упоминается белорусский Планар, чьи разработки, как минимум, лежат в основе «российского литографа».
ЗНТЦ реализует ряд проектов в области электронного машиностроения, в том числе по разработке установки совмещения и проекционного экспонирования с разрешением 130 нм. Работы планируется завершить в 2026 г.
Какой вклад в этот проект обеспечит ГК Элемент из сообщения не ясно. Речь идет о каком-то финансовом вкладе? Об апробации литографа на предприятиях группы?
@RUSmicro
ЗНТЦ и Элемент подписали соглашение о сотрудничестве в области фотолитографа 350 нм
Соглашение о сотрудничестве «для производства микроэлектроники» заключено 16.04.2025 на выставке ExpoElectronica 2025. Касается оно намерения компаний «обеспечить поставку оборудования и разработку технологии отечественного фотолитографического оборудования с нормами 350 нм». С этой целью компании планируют «проводить совместную работу по постановке технологических процессов на оборудовании с целью оценки возможностей использования оборудования в действующих и планируемых технологических маршрутах».
«Установка совмещения и проекционного экспонирования с разрешением 350 нм создана в рамках реализации мероприятий по разработке оборудования для обеспечения технологической независимости и предназначена для модернизации существующих и оснащения новых микроэлектронных производств, прежде всего для группы компаний ПАО «Элемент» - крупнейшего производителя электроники в России» - отметил генеральный директор АО ЗНТЦ Анатолий Ковалев.
Немного странно, что не упоминается белорусский Планар, чьи разработки, как минимум, лежат в основе «российского литографа».
ЗНТЦ реализует ряд проектов в области электронного машиностроения, в том числе по разработке установки совмещения и проекционного экспонирования с разрешением 130 нм. Работы планируется завершить в 2026 г.
Какой вклад в этот проект обеспечит ГК Элемент из сообщения не ясно. Речь идет о каком-то финансовом вкладе? Об апробации литографа на предприятиях группы?
@RUSmicro
14.04.202518:20
(10) Интеграционная платформа размером 300 мм для 2D-планарных pFET
До сих пор большинство усилий по интеграции было приложено к устройствам n-типа. На IEDM 2023 imec в сотрудничестве с Intel впервые показали продемонстрировал интегрированные на пластину 300-мм планарные транзисторы WSe2 pFET, используя тот же технологический процесс, что и для MoS2 nFET [14].
Команды также представили четкий анализ влияния размера зерна кристалла на производительность и надежность устройства.
Путь к повышению надежности и снижению изменчивости
В предыдущие годы imec и Венский технический университет (группа профессора Тибора Грассера) достигли прогресса в количественной оценке надежности и изменчивости устройств на основе 2D-материалов. Они изучили влияние, например, толщины 2D-слоя, размера и ориентации кристаллического зерна, а также шаблона 2D-роста на производительность 300-миллиметровых интегрированных планарных устройств MX2. Они также смогли определить основную причину проблем надежности и изменчивости и теперь работают над решениями. [15]
Решение оставшихся проблем: совместные усилия
Хотя различные исследовательские группы по всему миру добились больших успехов, все еще необходимы некоторые технологические прорывы, чтобы преодолеть перечисленные сложности и проложить путь к крупносерийному производству с использованием передовых узлах.
Imec определяет совместимое с фабриками и привычными для них техпроцессами:
▫️ формирование контактов истока/стока,
▫️ контролируемое легирование
▫️ возможность использования КМОП с устройствами MX2 (т. е. интеграцию полевых транзисторов p- и n-типа вместе)
как наиболее критические препятствия на пути вперед.
Решение этих проблем требует совместных усилий с участием лидеров отрасли, университетских групп и научно-исследовательских институтов, а также разработчиков производственного оборудования.
В случае решения этих проблем будущее двумерных материалов выглядит светлым. Они не только обещают продвинуть дорожную карту перевода изготовления микросхем цифровой логики по техпроцессу A7, но их характеристики также позволяют расширить область применения далеко за пределы только цифровой логики.
Благодаря чрезвычайно низкому току в выключенном состоянии перспективные узлы демонстрируют потенциал для применения во встроенных приложениях DRAM — возможно, начиная с узла A7 и далее.
Кроме того, транспортные свойства «поверхностноподобных» двумерных материалов очень легко нарушить, и это делает их идеально подходящими для вероятностных вычислений или даже приложений машинного обучения.
==
На этом пересказ завершен, надеюсь, несмотря на большой объем текста, вам было интересно с ним ознакомиться. Список литературы и оригинал публикации вы можете найти на сайте imec.
@RUSmicro
До сих пор большинство усилий по интеграции было приложено к устройствам n-типа. На IEDM 2023 imec в сотрудничестве с Intel впервые показали продемонстрировал интегрированные на пластину 300-мм планарные транзисторы WSe2 pFET, используя тот же технологический процесс, что и для MoS2 nFET [14].
Команды также представили четкий анализ влияния размера зерна кристалла на производительность и надежность устройства.
Путь к повышению надежности и снижению изменчивости
В предыдущие годы imec и Венский технический университет (группа профессора Тибора Грассера) достигли прогресса в количественной оценке надежности и изменчивости устройств на основе 2D-материалов. Они изучили влияние, например, толщины 2D-слоя, размера и ориентации кристаллического зерна, а также шаблона 2D-роста на производительность 300-миллиметровых интегрированных планарных устройств MX2. Они также смогли определить основную причину проблем надежности и изменчивости и теперь работают над решениями. [15]
Решение оставшихся проблем: совместные усилия
Хотя различные исследовательские группы по всему миру добились больших успехов, все еще необходимы некоторые технологические прорывы, чтобы преодолеть перечисленные сложности и проложить путь к крупносерийному производству с использованием передовых узлах.
Imec определяет совместимое с фабриками и привычными для них техпроцессами:
▫️ формирование контактов истока/стока,
▫️ контролируемое легирование
▫️ возможность использования КМОП с устройствами MX2 (т. е. интеграцию полевых транзисторов p- и n-типа вместе)
как наиболее критические препятствия на пути вперед.
Решение этих проблем требует совместных усилий с участием лидеров отрасли, университетских групп и научно-исследовательских институтов, а также разработчиков производственного оборудования.
В случае решения этих проблем будущее двумерных материалов выглядит светлым. Они не только обещают продвинуть дорожную карту перевода изготовления микросхем цифровой логики по техпроцессу A7, но их характеристики также позволяют расширить область применения далеко за пределы только цифровой логики.
Благодаря чрезвычайно низкому току в выключенном состоянии перспективные узлы демонстрируют потенциал для применения во встроенных приложениях DRAM — возможно, начиная с узла A7 и далее.
Кроме того, транспортные свойства «поверхностноподобных» двумерных материалов очень легко нарушить, и это делает их идеально подходящими для вероятностных вычислений или даже приложений машинного обучения.
==
На этом пересказ завершен, надеюсь, несмотря на большой объем текста, вам было интересно с ним ознакомиться. Список литературы и оригинал публикации вы можете найти на сайте imec.
@RUSmicro
14.04.202517:46
(6) Планарные 2D- и pFET транзисторы узла A3
Параллельно идут разработки по внедрению 2D-материала в технологический узел A3 imec. Здесь ожидается постепенный переход к CMOS 2.0, что позволит вновь вернуться к прогрессу в рамках закону Мура, внедряя гибридную интеграцию в вычислительную систему на кристалле (SoC) [11].
Этого планируется достигнуть за счет разбиения SoC на различные функциональные слои (с помощью STCO) и их объединения с использованием передовых методов 3D-упаковки и технологий, использующих тыльную сторону. Вместо использования самых передовых узлов в каждой функциональной части SoC, можно формировать функциональные слои с использованием наиболее подходящих для этого технологий. В частности, слои, требующие экстремальной плотности узлов (например, плотная логика) будут формироваться с использованием самой передовой технологии, например, CFET).
CMOS 2.0 позволяет плавно внедрять 2D-материалы в различные слои SoC. Например, силовые переключатели как часть активных межсоединений на тыльной стороне пластины или планарные устройства MX2 как часть слоев "пирога памяти". (..)
На картинке (горизонтальной) - пример возможного разделения SoC в эпоху CMOS2. Другая картинка (вертикальная) - техпроцесс A3 imec.
Параллельно идут разработки по внедрению 2D-материала в технологический узел A3 imec. Здесь ожидается постепенный переход к CMOS 2.0, что позволит вновь вернуться к прогрессу в рамках закону Мура, внедряя гибридную интеграцию в вычислительную систему на кристалле (SoC) [11].
Этого планируется достигнуть за счет разбиения SoC на различные функциональные слои (с помощью STCO) и их объединения с использованием передовых методов 3D-упаковки и технологий, использующих тыльную сторону. Вместо использования самых передовых узлов в каждой функциональной части SoC, можно формировать функциональные слои с использованием наиболее подходящих для этого технологий. В частности, слои, требующие экстремальной плотности узлов (например, плотная логика) будут формироваться с использованием самой передовой технологии, например, CFET).
CMOS 2.0 позволяет плавно внедрять 2D-материалы в различные слои SoC. Например, силовые переключатели как часть активных межсоединений на тыльной стороне пластины или планарные устройства MX2 как часть слоев "пирога памяти". (..)
На картинке (горизонтальной) - пример возможного разделения SoC в эпоху CMOS2. Другая картинка (вертикальная) - техпроцесс A3 imec.
14.04.202516:15
(2) 2D-материалы
Хотя GAAFET и CFET и дают временную передышку, но эффекты короткого канала неизбежно усложнят дальнейшее масштибирование.
Постоянное уменьшение длины затвора и канала требуют все более тонких каналов, чтобы ограничить пути протекания тока, тем самым ограничивая возможность утечки носителей заряда при выключении устройства. Чтобы, например, масштабировать транзистор CFET в узел A2 с длиной канала проводимости менее 10нм, толщины Si-каналов тоже должны снизиться до значений менее 10нм. Но в настолько тонких Si-каналах мобильность носителей зарядов и ток транзистора в открытом состоянии начинают резко снижаться.
Именно здесь 2D-полупроводники, в частности, дихалькогениды переходных металлов (MX2) обещают интересные возможности. В этих полупроводниках атомы расположены в слоистых кристаллах, причем толщина одного слоя составляет всего лишь около 0.7 нм, что позволяет формировать очень тонкие каналы. Мало этого, они обещают поддерживать сравнительно высокую подвижность носителей зарядов, независимо от толщины канала. Это обеспечивает максимум возможностей масштабирования длины затвора и канала, не беспокоясь об эффектах короткого канала. (..)
Хотя GAAFET и CFET и дают временную передышку, но эффекты короткого канала неизбежно усложнят дальнейшее масштибирование.
Постоянное уменьшение длины затвора и канала требуют все более тонких каналов, чтобы ограничить пути протекания тока, тем самым ограничивая возможность утечки носителей заряда при выключении устройства. Чтобы, например, масштабировать транзистор CFET в узел A2 с длиной канала проводимости менее 10нм, толщины Si-каналов тоже должны снизиться до значений менее 10нм. Но в настолько тонких Si-каналах мобильность носителей зарядов и ток транзистора в открытом состоянии начинают резко снижаться.
Именно здесь 2D-полупроводники, в частности, дихалькогениды переходных металлов (MX2) обещают интересные возможности. В этих полупроводниках атомы расположены в слоистых кристаллах, причем толщина одного слоя составляет всего лишь около 0.7 нм, что позволяет формировать очень тонкие каналы. Мало этого, они обещают поддерживать сравнительно высокую подвижность носителей зарядов, независимо от толщины канала. Это обеспечивает максимум возможностей масштабирования длины затвора и канала, не беспокоясь об эффектах короткого канала. (..)
12.04.202519:45
🇨🇳 РЗЭ. Торговые войны. Китай
Китайский редкоземельный удар
На днях мы уже обсуждали новые ограничения Китая на экспорт РЗЭ, но тогда я знал только об ограничениях на скандий (Sc, 21) и диспрозий (Dy, 66). А оказывается, в список добавили не только их, но еще и гадолиний (Gd, 64), иттербий (Yb, 70), лютеций (Lu, 71), самарий (Sm, 62), иттрий (Y, 39).
Поставки этих РЗЭ прекратились с 4 апреля 2025 года. Теперь экспортеры должны обращаться за лицензиями в Минторг Китая. Это непрозрачный процесс, который может длиться от 1.5 месяцев до нескольких месяцев. Например, после того, как Китай включил сурьму в список экспортного контроля в сентябре 2024 года, она еще так и не попадала в ЕС.
Типовые запасы РЗЭ у клиентов-производителей – примерно на 2 месяца работы (у кого-то, может, больше). После этого у клиентов будут возникать сложности, которые могут вызывать самые разные виды дефицита тех или иных изделий.
Контроль экспорта РЗЭ – мощное оружие Китая. Но, как и в случае экспортных ограничений США, таким оружием не получится пользоваться долго. Поскольку зарубежные покупатели будут вынуждены искать новых поставщиков, подальше от зоны контроля Китая. Даже если им придется платить больше и дольше ждать. В итоге если сейчас Китай доминирует на рынке РЗЭ с долей в 90%, то в перспективе его доля рынка может снизиться. Впрочем, в Китае это понимают и возможно мы еще увидим «временные отмены», льготы или другие варианты смягчения конфронтации.
А пока что – все очень серьезно:
▫️ Гадолиний используется в атомных реакторах, в контрастных веществах для МРТ и в микроволновках;
▫️ Иттербий – в высокоточном оружии, гидроакустике, в топливных элементах;
▫️ Лютеций – (действительно редкий РЗЭ) в катализаторах и в системах визуализации в медицине;
▫️ Самарий – в самарий-кобальтовых магнитах, применяемых в аэрокосмической и оборонной промышленности;
▫️ Иттрий – критически важен для создания термобарьерных покрытий на компонентах реактивных двигателей и в прецизионных лазерах.
Очевидно, что Запад не был готов к такому развитию событий. Пока Китай десятилетиями стратегически инвестировал в РЗЭ, на Западе считали, что этот бизнес одновременно экологически слишком грязный и низкорентабельный (то и другое - правда, но без РЗЭ не прожить, по крайней мере в нынешней парадигме). И теперь последствия могут быть существенными в моменте. Но преодолимыми в перспективе.
@RUSmicro
#РЗЭ #торговыевойны
Китайский редкоземельный удар
На днях мы уже обсуждали новые ограничения Китая на экспорт РЗЭ, но тогда я знал только об ограничениях на скандий (Sc, 21) и диспрозий (Dy, 66). А оказывается, в список добавили не только их, но еще и гадолиний (Gd, 64), иттербий (Yb, 70), лютеций (Lu, 71), самарий (Sm, 62), иттрий (Y, 39).
Поставки этих РЗЭ прекратились с 4 апреля 2025 года. Теперь экспортеры должны обращаться за лицензиями в Минторг Китая. Это непрозрачный процесс, который может длиться от 1.5 месяцев до нескольких месяцев. Например, после того, как Китай включил сурьму в список экспортного контроля в сентябре 2024 года, она еще так и не попадала в ЕС.
Типовые запасы РЗЭ у клиентов-производителей – примерно на 2 месяца работы (у кого-то, может, больше). После этого у клиентов будут возникать сложности, которые могут вызывать самые разные виды дефицита тех или иных изделий.
Контроль экспорта РЗЭ – мощное оружие Китая. Но, как и в случае экспортных ограничений США, таким оружием не получится пользоваться долго. Поскольку зарубежные покупатели будут вынуждены искать новых поставщиков, подальше от зоны контроля Китая. Даже если им придется платить больше и дольше ждать. В итоге если сейчас Китай доминирует на рынке РЗЭ с долей в 90%, то в перспективе его доля рынка может снизиться. Впрочем, в Китае это понимают и возможно мы еще увидим «временные отмены», льготы или другие варианты смягчения конфронтации.
А пока что – все очень серьезно:
▫️ Гадолиний используется в атомных реакторах, в контрастных веществах для МРТ и в микроволновках;
▫️ Иттербий – в высокоточном оружии, гидроакустике, в топливных элементах;
▫️ Лютеций – (действительно редкий РЗЭ) в катализаторах и в системах визуализации в медицине;
▫️ Самарий – в самарий-кобальтовых магнитах, применяемых в аэрокосмической и оборонной промышленности;
▫️ Иттрий – критически важен для создания термобарьерных покрытий на компонентах реактивных двигателей и в прецизионных лазерах.
Очевидно, что Запад не был готов к такому развитию событий. Пока Китай десятилетиями стратегически инвестировал в РЗЭ, на Западе считали, что этот бизнес одновременно экологически слишком грязный и низкорентабельный (то и другое - правда, но без РЗЭ не прожить, по крайней мере в нынешней парадигме). И теперь последствия могут быть существенными в моменте. Но преодолимыми в перспективе.
@RUSmicro
#РЗЭ #торговыевойны
11.04.202511:07
🇹🇼 Процессоры для мобильных устройств. Платформы. Тайвань
MediaTek представил платформу Dimensity 9400+ с поддержкой LLM
В повестке значится спуск ИИ на уровень пользовательских устройств (контролироваться должно все). И вот MediaTek, как видим, как настоящий передовик выкатывает новую платформу, отвечающую трендам.
Заявляется, понятно, чуть другое - появление поддержки больших моделей ИИ на уровне платформы обеспечит повышенную производительность мобильных устройств премиального сегмента, сделает возможным появление на них агентского ИИ.
Это не должно негативно сказаться на энерговооруженности устройств и времени их непрерывной автономной работы. В том числе за счет используемого техпроцесса. По неподтвержденным пока данным это 3нм (TSMC).
Компания отметила, что 12-ядерный графический процессор с системой команд ARM Immortalis-G925 оптимизирован для игр на смартфонах и «обеспечивает сильные визуальные впечатления».
Также заявлено улучшения по части Bluetooth для подключения телефонов друг к другу, поддержки китайской спутниковой GNSS BeiDou и улучшения работы Wi-Fi. Платформа поддерживает 2 SIM-карты.
Первые аппараты на базе новой платформы выйдут уже в апреле 2025. ИИ все ближе, ура?
@RUSmicro по материалам Mobile World Live
#ИИчипы #мобильныеплатформы
MediaTek представил платформу Dimensity 9400+ с поддержкой LLM
В повестке значится спуск ИИ на уровень пользовательских устройств (контролироваться должно все). И вот MediaTek, как видим, как настоящий передовик выкатывает новую платформу, отвечающую трендам.
Заявляется, понятно, чуть другое - появление поддержки больших моделей ИИ на уровне платформы обеспечит повышенную производительность мобильных устройств премиального сегмента, сделает возможным появление на них агентского ИИ.
Это не должно негативно сказаться на энерговооруженности устройств и времени их непрерывной автономной работы. В том числе за счет используемого техпроцесса. По неподтвержденным пока данным это 3нм (TSMC).
Компания отметила, что 12-ядерный графический процессор с системой команд ARM Immortalis-G925 оптимизирован для игр на смартфонах и «обеспечивает сильные визуальные впечатления».
Также заявлено улучшения по части Bluetooth для подключения телефонов друг к другу, поддержки китайской спутниковой GNSS BeiDou и улучшения работы Wi-Fi. Платформа поддерживает 2 SIM-карты.
Первые аппараты на базе новой платформы выйдут уже в апреле 2025. ИИ все ближе, ура?
@RUSmicro по материалам Mobile World Live
#ИИчипы #мобильныеплатформы
15.04.202509:40
🇷🇺 Микроконтроллеры. RISC-V. Россия
Элвис представила микроконтроллер MS1 с системой команд RISС-V
Микропроцессор включает ядро, сигнальную подсистему и базовый набор интерфейсов, которые можно расширить. Предлагается использовать как обычный микроконтроллер общего назначения, но также, например, в качестве процессора baseband в узкополосных системах (LoRA, zigbee, dmr и проприетарных), а также для обработки данных с аналоговых сенсоров.
Может быть использована в решениях образовательного типа для изучения RISC-V или построения учебных радиостанций.
Кроме микроконтроллера Элвис подготовил и отладочную плату.
Характеристики:
▫️ До 280 МГц
▫️ 32 бит, суперскалярный, 9-стадийный конвейер, кэш инструкций 16 кБ, coremark 4.45 / МГц.
▫️ Память однотактовая накристальная, 512 кБ и четырехтактовая накристальная, 2 МБ
▫️ АЦП 10 бит, до 19.2 МГц; ЦАП 12 бит, до 19.2 МГц. DFE (digital front-end).
▫️ Есть цифровая фильтрация, передискретизация, цифровое гетеродинирование, DMA для организации обмена с CPU.
▫️PLL: встроенный умножитель/делитель входной частоты
▫️ JTAG: поддержка Open OCD; максимальная частота 25 МГц
▫️ Загрузка: SPI/QSPI с поддержкой XIP
▫️ Периферия: GPIO, 8 линий с поддержкой прерываний; UART; SPI (x2 CS при загрузке по QSPI)
▫️ Питание: ядро -1.1В +/- 5%; периферия – 3.3В +/- 5%
▫️ Корпус: QFN88, 10x10 мм
Не говорится, где производится кристалл и где упаковывается эта микросхема.
@RUSmicro
#RISCV #микроконтроллер
Элвис представила микроконтроллер MS1 с системой команд RISС-V
Микропроцессор включает ядро, сигнальную подсистему и базовый набор интерфейсов, которые можно расширить. Предлагается использовать как обычный микроконтроллер общего назначения, но также, например, в качестве процессора baseband в узкополосных системах (LoRA, zigbee, dmr и проприетарных), а также для обработки данных с аналоговых сенсоров.
Может быть использована в решениях образовательного типа для изучения RISC-V или построения учебных радиостанций.
Кроме микроконтроллера Элвис подготовил и отладочную плату.
Характеристики:
▫️ До 280 МГц
▫️ 32 бит, суперскалярный, 9-стадийный конвейер, кэш инструкций 16 кБ, coremark 4.45 / МГц.
▫️ Память однотактовая накристальная, 512 кБ и четырехтактовая накристальная, 2 МБ
▫️ АЦП 10 бит, до 19.2 МГц; ЦАП 12 бит, до 19.2 МГц. DFE (digital front-end).
▫️ Есть цифровая фильтрация, передискретизация, цифровое гетеродинирование, DMA для организации обмена с CPU.
▫️PLL: встроенный умножитель/делитель входной частоты
▫️ JTAG: поддержка Open OCD; максимальная частота 25 МГц
▫️ Загрузка: SPI/QSPI с поддержкой XIP
▫️ Периферия: GPIO, 8 линий с поддержкой прерываний; UART; SPI (x2 CS при загрузке по QSPI)
▫️ Питание: ядро -1.1В +/- 5%; периферия – 3.3В +/- 5%
▫️ Корпус: QFN88, 10x10 мм
Не говорится, где производится кристалл и где упаковывается эта микросхема.
@RUSmicro
#RISCV #микроконтроллер
14.04.202518:11
(9) Перенос слоев, примененный к лабораторным нанолистам GAA: хорошее соответствие слоев и качество
Команда imec применила знания, полученные при переносе слоев на планарных устройствах, к тестовым носителям нанолистов GAA. Утверждается, что так удалось получить лабораторные nFET MX2 с превосходным соответствием, однородностью и качеством слоев. Перенос слоев — интересный подход к формированию каналов нанолистов (а также может использоваться в перспективе и для CFET), который предпочтительно выполнять при температурах ниже 600 °C.
Кроме того, на IEDM 2024 imec впервые сообщила о функциональных многослойных нанолистовых FET с каналами MoS2, сформированными с помощью переноса слоев на 300-миллиметровые целевые пластины. Устройство показывает сопоставимый Ion (~451 мкА/мкм) и рекордный коэффициент включения-выключения (>10^9) по сравнению с современным уровнем техники. Знания, полученные в рамках экспериментов с планарными устройствами, использовались для разработки критически важных модулей, включая модуль затвора [13].
В качестве альтернативы imec исследует прямой рост 2D-материалов при пониженных температурах, что может обеспечить получение слоев хорошего качества, но только при осаждении на меньших, выборочных участках. (..)
Рисунок 6 – Поперечное сечение в ПЭМ монослойного нанолиста MoS2 с металлом high-k и затвором, полностью обернутым вокруг канала (представлено на IEDM 2024).
Команда imec применила знания, полученные при переносе слоев на планарных устройствах, к тестовым носителям нанолистов GAA. Утверждается, что так удалось получить лабораторные nFET MX2 с превосходным соответствием, однородностью и качеством слоев. Перенос слоев — интересный подход к формированию каналов нанолистов (а также может использоваться в перспективе и для CFET), который предпочтительно выполнять при температурах ниже 600 °C.
Кроме того, на IEDM 2024 imec впервые сообщила о функциональных многослойных нанолистовых FET с каналами MoS2, сформированными с помощью переноса слоев на 300-миллиметровые целевые пластины. Устройство показывает сопоставимый Ion (~451 мкА/мкм) и рекордный коэффициент включения-выключения (>10^9) по сравнению с современным уровнем техники. Знания, полученные в рамках экспериментов с планарными устройствами, использовались для разработки критически важных модулей, включая модуль затвора [13].
В качестве альтернативы imec исследует прямой рост 2D-материалов при пониженных температурах, что может обеспечить получение слоев хорошего качества, но только при осаждении на меньших, выборочных участках. (..)
Рисунок 6 – Поперечное сечение в ПЭМ монослойного нанолиста MoS2 с металлом high-k и затвором, полностью обернутым вокруг канала (представлено на IEDM 2024).
14.04.202517:33
(5) Планарные, основанные на 2D, n или pFET, в узле по техпроцессу А7
В imec работают над внедрением 2D-устройств на основе MX2 в узле A7. В этом новом поколении технологии, транзисторы CFET с каналами на основе кремния будут использованы для формирования высокопроизводительной логики КМОП, питание будет обеспечиваться снизу по технологии BSPDN, а кэш-память последнего уровня может подключаться к КМОП-логике с использованием передовых технологий 3D-упаковки.
Соответствующие планарные 2D-устройства на основе MX2 могут использоваться в качестве периферии, находясь в back-end-of-line (BEOL) или даже на тыльной стороне пластины. Вообразим, например, регулятор напряжения с малым падением напряжения (LDO) или менее производительные силовые переключатели, которые могли бы включать или выключать целые блоки логических КМПО-устройств.
Моделирование, проведенное в imec, показывает, что планарные nMOS (или p FET) устройства с каналом MX2 очень перспективны для таких приложений. На тыльной стороне пластины или в рамках BEOL будет больше места для их размещения. Таким образом можно снизить их площадь.
Для этих приложений предпочтительным методом осаждения видится перенос слоев: BEOL и обработка задней стороны ограничат доступный температурный бюджет до уровня ниже 400 °C, чтобы не ухудшать производительность устройств, уже присутствующих на передней стороне.
Прямое выращивание 2D-материалов при таких низких температурах (в промышленно совместимом режиме) - сложная задача, поскольку это может привести к формированию слоев низкого качества. (..)
В imec работают над внедрением 2D-устройств на основе MX2 в узле A7. В этом новом поколении технологии, транзисторы CFET с каналами на основе кремния будут использованы для формирования высокопроизводительной логики КМОП, питание будет обеспечиваться снизу по технологии BSPDN, а кэш-память последнего уровня может подключаться к КМОП-логике с использованием передовых технологий 3D-упаковки.
Соответствующие планарные 2D-устройства на основе MX2 могут использоваться в качестве периферии, находясь в back-end-of-line (BEOL) или даже на тыльной стороне пластины. Вообразим, например, регулятор напряжения с малым падением напряжения (LDO) или менее производительные силовые переключатели, которые могли бы включать или выключать целые блоки логических КМПО-устройств.
Моделирование, проведенное в imec, показывает, что планарные nMOS (или p FET) устройства с каналом MX2 очень перспективны для таких приложений. На тыльной стороне пластины или в рамках BEOL будет больше места для их размещения. Таким образом можно снизить их площадь.
Для этих приложений предпочтительным методом осаждения видится перенос слоев: BEOL и обработка задней стороны ограничат доступный температурный бюджет до уровня ниже 400 °C, чтобы не ухудшать производительность устройств, уже присутствующих на передней стороне.
Прямое выращивание 2D-материалов при таких низких температурах (в промышленно совместимом режиме) - сложная задача, поскольку это может привести к формированию слоев низкого качества. (..)
14.04.202515:55
🇪🇺 Горизонты технологий. 2D-структуры. Европа
Imec обещает скорый приход 2D-материалов в цифровые микросхемы
В цепочке постов попробую пересказать видение исследователей Imec по данной теме.
Дорожная карта масштабирования кремниевой логики
Уже не менее 20 лет, как стало понятно, что вдохновленное законом Мура размерное масштабирование более не обеспечивает необходимую эволюцию узлов технологии КМОП. Еще около 2005 года улучшение производительности при переходе к новым, более компактным узлам при фиксированной мощности (так называемый эффект Деннарда), начало снижаться. Пришлось дополнять масштабирование, основанное на повышении разрешения фотолитографии, другими технологическими инновациями. Это требовалось для того, чтобы поддерживать необходимую динамику улучшения баланса таких показателей как производительность - мощность - площадь - стоимость. Это потребовало исследований материалов и новых архитектур, оптимизации проектирования и 3D-упаковки.
На уровне транзисторов ухудшение производительности при масштабировании возникло из-за так называемого явления короткого канала. Сокращение длины затвора и укорочение канала проводимости приводило к росту тока утечки, который стал значительным даже в ситуации, когда напряжение на затвор не подается. Значительно возросло влияние истока и стока на область сужения канала.
Эти эффекты заставили индустрию перейти от планарных МОП-транзисторов к FinFET, а сравнительно недавно начался переход к транзисторам на основе нанолистов Gate-all-around (GAA). Это позволило восстановить электростатический контроль затвора над каналом проводимости.
Это дало возможность продолжать сокращение размеров узлов и повышать плотность их размещения. Кроме того, были придуманы усовершенствованные схемы межсоединений, а также внедрена подача питания с тыльной стороны кристалла (BSPDN).
Как ожидается, далее последует переход от GAA к CFET, комплиментарному полевому транзистору, который в очередной раз позволит сократить площадь узла за счет наложения каналов n и p друг на друга. В Imec ожидают, что такие структуры будут внедряться, начиная с размера узла A7 (7 ангстрем) и далее, минимум, до А3. Как и в транзисторах GAA nanosheet, затвор, теперь общий для n и p, полностью охватывает и находится между каналами, обеспечивая максимальный электростатический контроль узла. (..)
@RUSmicro по материалам Imec
#CFET
Imec обещает скорый приход 2D-материалов в цифровые микросхемы
В цепочке постов попробую пересказать видение исследователей Imec по данной теме.
Дорожная карта масштабирования кремниевой логики
Уже не менее 20 лет, как стало понятно, что вдохновленное законом Мура размерное масштабирование более не обеспечивает необходимую эволюцию узлов технологии КМОП. Еще около 2005 года улучшение производительности при переходе к новым, более компактным узлам при фиксированной мощности (так называемый эффект Деннарда), начало снижаться. Пришлось дополнять масштабирование, основанное на повышении разрешения фотолитографии, другими технологическими инновациями. Это требовалось для того, чтобы поддерживать необходимую динамику улучшения баланса таких показателей как производительность - мощность - площадь - стоимость. Это потребовало исследований материалов и новых архитектур, оптимизации проектирования и 3D-упаковки.
На уровне транзисторов ухудшение производительности при масштабировании возникло из-за так называемого явления короткого канала. Сокращение длины затвора и укорочение канала проводимости приводило к росту тока утечки, который стал значительным даже в ситуации, когда напряжение на затвор не подается. Значительно возросло влияние истока и стока на область сужения канала.
Эти эффекты заставили индустрию перейти от планарных МОП-транзисторов к FinFET, а сравнительно недавно начался переход к транзисторам на основе нанолистов Gate-all-around (GAA). Это позволило восстановить электростатический контроль затвора над каналом проводимости.
Это дало возможность продолжать сокращение размеров узлов и повышать плотность их размещения. Кроме того, были придуманы усовершенствованные схемы межсоединений, а также внедрена подача питания с тыльной стороны кристалла (BSPDN).
Как ожидается, далее последует переход от GAA к CFET, комплиментарному полевому транзистору, который в очередной раз позволит сократить площадь узла за счет наложения каналов n и p друг на друга. В Imec ожидают, что такие структуры будут внедряться, начиная с размера узла A7 (7 ангстрем) и далее, минимум, до А3. Как и в транзисторах GAA nanosheet, затвор, теперь общий для n и p, полностью охватывает и находится между каналами, обеспечивая максимальный электростатический контроль узла. (..)
@RUSmicro по материалам Imec
#CFET
11.04.202516:29
🇷🇺 Тендеры. BMS. Россия
Росатом ищет разработчика микросхемы управления АКБ электромобиля
Соответствующий тендер CNews обнаружил на сайте госзакупок 7.04.2025.
Как я понимаю, речь идет о BMS-контроллере (Battery Management System) или AFE (Analog Front End), как правило это ASIC или комбинированное решение, от которого требуются такие функции как измерение напряжения ячеек батареи (то есть встроенные АЦП), балансировка заряда (пассивная/активная), поддержка коммуникации по SPI, isoSPI, I²C и, конечно, защита от перегрева, перезаряда и коротких замыканий.
От микросхемы требуется соответствие требованиям уровня ASIL D (Automotive Safety Integrity Level D) стандарта ISO 26262 то есть по ГОСТ Р ИСО 26262, наивысшему в классификации ASIL. Аналогичные требования предъявляют к системам рулевого управления, тормозам и подушкам безопасности.
В мире таких микросхем немало, например, Texas Instruments BQ76952, Analog Devices LTC68xx, NXP MC3377x.
Это не обязательно микроконтроллер, т.к. решение не является универсальным, обычно оно «заточено» под конкретный набор функций. Но BMS-контроллеры могут работать как в паре с MCU (LTC6813+STM32), так и содержать его внутри (TI BQ40Zxx), тогда они программируемые и более универсальные.
Специфические для BMS блоки – это мультиплексоры для измерений множества ячеек АКБ; высокоточные АЦП (12-16 бит); изолированные интерфейсы (isoSPI), чтобы работать с высоким напряжением; интерфейсы I2C; это встроенные балансировочные цепи, которые могут включать встроенные MOSFET ключи или хотя бы драйверы внешних ключей. Если программируемость логики не требуется, то вся логика реализуется внутри чипа и MCU внутри или снаружи не нужен.
Требования Росатома – работа с 12 ячейками, измерение напряжений до 5В с точностью до 2.8 мВ в нормальном режиме и до 10 мВ в ускоренном. На все про все разрешается потреблять не более 20 мА в активном режиме и не более 10 мкА в спящем. Предусматривается два исполнения: Industrial (-40°C до +85°C) и Automotive (-40°C до +125°C). Наработка на отказ – не менее 25 тысяч часов при сроке службы 15 лет. Защита от статики до 1500 В. И даже требования к экобезопасности – что-то насчет озонразрушающих веществ, видимо, чтобы их не было.
На реализацию проекта выделено 84 млн рублей. Но требуется, чтобы себестоимость серийного образца была не выше 400 рублей при выпуске 1 млн экземпляров в год – вот этот пункт будет реализовать сложнее всего. Впрочем, 1 млн – это уже объем.
Есть желающие разработать? Подробнее – в заметке CNews или на сайте госзакупок.
@RUSmicro
#BMS
Росатом ищет разработчика микросхемы управления АКБ электромобиля
Соответствующий тендер CNews обнаружил на сайте госзакупок 7.04.2025.
Как я понимаю, речь идет о BMS-контроллере (Battery Management System) или AFE (Analog Front End), как правило это ASIC или комбинированное решение, от которого требуются такие функции как измерение напряжения ячеек батареи (то есть встроенные АЦП), балансировка заряда (пассивная/активная), поддержка коммуникации по SPI, isoSPI, I²C и, конечно, защита от перегрева, перезаряда и коротких замыканий.
От микросхемы требуется соответствие требованиям уровня ASIL D (Automotive Safety Integrity Level D) стандарта ISO 26262 то есть по ГОСТ Р ИСО 26262, наивысшему в классификации ASIL. Аналогичные требования предъявляют к системам рулевого управления, тормозам и подушкам безопасности.
В мире таких микросхем немало, например, Texas Instruments BQ76952, Analog Devices LTC68xx, NXP MC3377x.
Это не обязательно микроконтроллер, т.к. решение не является универсальным, обычно оно «заточено» под конкретный набор функций. Но BMS-контроллеры могут работать как в паре с MCU (LTC6813+STM32), так и содержать его внутри (TI BQ40Zxx), тогда они программируемые и более универсальные.
Специфические для BMS блоки – это мультиплексоры для измерений множества ячеек АКБ; высокоточные АЦП (12-16 бит); изолированные интерфейсы (isoSPI), чтобы работать с высоким напряжением; интерфейсы I2C; это встроенные балансировочные цепи, которые могут включать встроенные MOSFET ключи или хотя бы драйверы внешних ключей. Если программируемость логики не требуется, то вся логика реализуется внутри чипа и MCU внутри или снаружи не нужен.
Требования Росатома – работа с 12 ячейками, измерение напряжений до 5В с точностью до 2.8 мВ в нормальном режиме и до 10 мВ в ускоренном. На все про все разрешается потреблять не более 20 мА в активном режиме и не более 10 мкА в спящем. Предусматривается два исполнения: Industrial (-40°C до +85°C) и Automotive (-40°C до +125°C). Наработка на отказ – не менее 25 тысяч часов при сроке службы 15 лет. Защита от статики до 1500 В. И даже требования к экобезопасности – что-то насчет озонразрушающих веществ, видимо, чтобы их не было.
На реализацию проекта выделено 84 млн рублей. Но требуется, чтобы себестоимость серийного образца была не выше 400 рублей при выпуске 1 млн экземпляров в год – вот этот пункт будет реализовать сложнее всего. Впрочем, 1 млн – это уже объем.
Есть желающие разработать? Подробнее – в заметке CNews или на сайте госзакупок.
@RUSmicro
#BMS
11.04.202506:15
📈 Производственное оборудование микроэлектроники. Оценки мирового рынка
Мировые продажи оборудования для производства полупроводников выросли на 10% до $117,1 млрд в 2024 году
Это оценка отраслевой ассоциации SEMI.
В частности, в 2024 году рост продаж оборудования для обработки пластин оценивается на уровне 9%, продажи другого оборудования фронт-энд сегмента (FEOL) подросли на 5% год к году. Этот рост в значительной степени был обусловлен наращиванием инвестиций в расширение мощностей производства как передовой, так и зрелой логики, усовершенствованной упаковки и памяти с высокой пропускной способностью (HBM), а также значительным ростом инвестиций в Китае.
Сегмент бэк-энд (BEOL) оборудования после двух лет спада, показал устойчивое восстановление в 2024 году, что обусловлено растущей сложностью производства решений ИИ. Продажи оборудования для сборки и упаковки выросли на 25%, продажи контрольно-измерительного оборудования – на 20%.
Благодаря этому рынок производственного оборудования в 2024 году достиг рекордных $117 млрд.
В региональном плане Китай, Корея и Тайвань остаются Топ-3 рынков по расходам на производственное оборудование с общей долей 74%. Все грандиозные планы США пока что не поменяли эту картину.
🇨🇳 Кто реально укрепил свои позиции на рынке покупателей производственного оборудования, так это лидер этого рынка – Китай. Инвестиции этой страны в 2024 году выросли на 35% год к году до $49,6 млрд, что объясняется агрессивным расширением производственных мощностей и поддерживаемыми правительством инициативами, направленными на стимулирование внутреннего производства микросхем.
🇰🇷 Корея, второй по величине рынок, показала скромное увеличение расходов на оборудование, всего на 3%, до $20,5 млрд, поскольку рынки памяти стабилизировались, но резко вырос спрос на память HBM.
🇹🇼 Тайвань показал 16% снижение продаж оборудования год к году, инвестиции сократились до $16.6 млрд, что отражает снижение востребованности новых мощностей.
🇺🇸 Северная Америка показала рост на 14%, но в абсолюте это $13.7 млрд, что обусловлено повышением вниманию к внутреннему производству и попыткам восстановить производство передовых технологических узлов.
🇪🇺 Европа, которая на словах планирует удвоение своей доли рынка на мировом рынке полупроводников, на деле продемонстрировала снижения расходов на оборудование на 25% год к году до $4.9 млрд из-за ослабления спроса в автомобильном и промышленном секторах.
🇯🇵 Япония была более стабильна, спад составил лишь 1%, а общий объем – $7.8 млрд.
🌍 Остальной мир показал рост на 15%, с абсолютной суммой в $4.2 млрд, в основном за счет развивающихся рынков, наращивающих производство микросхем.
@RUSmicro
#оборудование
Мировые продажи оборудования для производства полупроводников выросли на 10% до $117,1 млрд в 2024 году
Это оценка отраслевой ассоциации SEMI.
В частности, в 2024 году рост продаж оборудования для обработки пластин оценивается на уровне 9%, продажи другого оборудования фронт-энд сегмента (FEOL) подросли на 5% год к году. Этот рост в значительной степени был обусловлен наращиванием инвестиций в расширение мощностей производства как передовой, так и зрелой логики, усовершенствованной упаковки и памяти с высокой пропускной способностью (HBM), а также значительным ростом инвестиций в Китае.
Сегмент бэк-энд (BEOL) оборудования после двух лет спада, показал устойчивое восстановление в 2024 году, что обусловлено растущей сложностью производства решений ИИ. Продажи оборудования для сборки и упаковки выросли на 25%, продажи контрольно-измерительного оборудования – на 20%.
Благодаря этому рынок производственного оборудования в 2024 году достиг рекордных $117 млрд.
В региональном плане Китай, Корея и Тайвань остаются Топ-3 рынков по расходам на производственное оборудование с общей долей 74%. Все грандиозные планы США пока что не поменяли эту картину.
🇨🇳 Кто реально укрепил свои позиции на рынке покупателей производственного оборудования, так это лидер этого рынка – Китай. Инвестиции этой страны в 2024 году выросли на 35% год к году до $49,6 млрд, что объясняется агрессивным расширением производственных мощностей и поддерживаемыми правительством инициативами, направленными на стимулирование внутреннего производства микросхем.
🇰🇷 Корея, второй по величине рынок, показала скромное увеличение расходов на оборудование, всего на 3%, до $20,5 млрд, поскольку рынки памяти стабилизировались, но резко вырос спрос на память HBM.
🇹🇼 Тайвань показал 16% снижение продаж оборудования год к году, инвестиции сократились до $16.6 млрд, что отражает снижение востребованности новых мощностей.
🇺🇸 Северная Америка показала рост на 14%, но в абсолюте это $13.7 млрд, что обусловлено повышением вниманию к внутреннему производству и попыткам восстановить производство передовых технологических узлов.
🇪🇺 Европа, которая на словах планирует удвоение своей доли рынка на мировом рынке полупроводников, на деле продемонстрировала снижения расходов на оборудование на 25% год к году до $4.9 млрд из-за ослабления спроса в автомобильном и промышленном секторах.
🇯🇵 Япония была более стабильна, спад составил лишь 1%, а общий объем – $7.8 млрд.
🌍 Остальной мир показал рост на 15%, с абсолютной суммой в $4.2 млрд, в основном за счет развивающихся рынков, наращивающих производство микросхем.
@RUSmicro
#оборудование
Shown 1 - 24 of 80
Log in to unlock more functionality.