Паразитное сопротивление
Привет! Я практикующий чип-дизайнер и немного популяризатор микроэлектроники. В этом канале можно найти интересные новости отрасли и немного инсайтов разработки микросхем.
Статьи на Хабре: https://habr.com/ru/users/amartology/publications/articles/
Статьи на Хабре: https://habr.com/ru/users/amartology/publications/articles/
Рэйтынг TGlist
0
0
ТыпПублічны
Вертыфікацыя
Не вертыфікаваныНадзейнасць
Не надзейныРазмяшчэнне
МоваІншая
Дата стварэння каналаЖовт 08, 2024
Дадана ў TGlist
Квіт 03, 2025Прыкрепленая група
Паразитные комментарии
10
Рэкорды
20.04.202523:59
1.1KПадпісчыкаў29.10.202423:59
0Індэкс цытавання02.04.202523:59
656Ахоп 1 паста22.04.202518:50
0Ахоп рэкламнага паста16.04.202523:59
3.79%ER28.03.202514:39
61.06%ERR
16.04.202508:05
CEO AMD Лиза Су и CEO TSMC СиСи Вэй показали публике первую пластину с продуктовыми микросхемами, выполненными по процессу 2 нм. Это процессоры AMD EPYC, серийное производство которых намечено на начало следующего года. Я недавно писал о сложностях верификации на передовых проектных нормах, и вот хороший пример — первые образцы аж за девять месяцев до выхода к клиентам.
Для TSMC это событие важно тем, что в процессе 2 нм они впервые применяют GAAFET вместо FinFET, применявшихся на передовых нормах последние пятнадцать лет. На два года позже Samsung, но те явно поспешили с внедрением и получили множество проблем. А AMD наверняка приятно то, что именно они получили статус первого пиар-клиента, а не Apple или NVIDIA.
Для TSMC это событие важно тем, что в процессе 2 нм они впервые применяют GAAFET вместо FinFET, применявшихся на передовых нормах последние пятнадцать лет. На два года позже Samsung, но те явно поспешили с внедрением и получили множество проблем. А AMD наверняка приятно то, что именно они получили статус первого пиар-клиента, а не Apple или NVIDIA.
04.04.202514:50
Вышли из тени еще одни желающие сделать чип-дизайн открытым.
Американский стартап ZeroASIC представил открытую архитектуру FPGA, которую они хотят сделать плисовым аналогом RISC-V. Дизайн самого чипа проприетарный (GF 12 нм), но архитектура описана, а весь маршрут синтеза RTL, генерации и записи битстрима опенсорсный. На гитхабе много интересного.
Предполагается, что найдутся желающие поддержать начинание и организовать концорциум по образцу RISC-V Foundation. Звучит чрезмерно амбициозно, но саму идею демократизации чип-дизайна я могу только поддержать.
Американский стартап ZeroASIC представил открытую архитектуру FPGA, которую они хотят сделать плисовым аналогом RISC-V. Дизайн самого чипа проприетарный (GF 12 нм), но архитектура описана, а весь маршрут синтеза RTL, генерации и записи битстрима опенсорсный. На гитхабе много интересного.
Предполагается, что найдутся желающие поддержать начинание и организовать концорциум по образцу RISC-V Foundation. Звучит чрезмерно амбициозно, но саму идею демократизации чип-дизайна я могу только поддержать.
14.04.202509:04
В аналоговой схемотехнике важно соотношение параметров элементов. В литографии хорошо получаются регулярные структуры, поэтому согласуемые приборы разбивают на элементы и делают из них массив. Принцип построения таких массивов называют "common centroid", так как лучшую повторяемость обеспечивает топология с центральной симметрией. Она компенсирует температурные градиенты и другие направленные неравномерности.
Построить центроид можно разными способами, два самых популярных варианта для пары элементов показаны на рисунке. Любая проходящая через центр массива прямая пересекает одинаковое количество элементов A и B. D — "дамми", заземленные неиспользуемые элементы. Литографический рисунок края массива отличается от элементов в центре, и, в случае с транзисторами, дополнительный разброс дают неравномерности имплантации у края закрытой фоторезистом области.
Более подробно о центроидах можно прочитать в книгах The Art of Analog Layout by Alan Hastings и Circuit Design, Layout, and Simulation by R. Jacob Baker
Построить центроид можно разными способами, два самых популярных варианта для пары элементов показаны на рисунке. Любая проходящая через центр массива прямая пересекает одинаковое количество элементов A и B. D — "дамми", заземленные неиспользуемые элементы. Литографический рисунок края массива отличается от элементов в центре, и, в случае с транзисторами, дополнительный разброс дают неравномерности имплантации у края закрытой фоторезистом области.
Более подробно о центроидах можно прочитать в книгах The Art of Analog Layout by Alan Hastings и Circuit Design, Layout, and Simulation by R. Jacob Baker
28.03.202510:53
В Semiengineering – интересная статья о том, что современные системы на кристалле стали настолько сложными, что об идее first-time-right silicon можно просто забыть, несмотря на все EDA для верификации с миллионными ценниками. "Some of the large chipmakers actually plan for as many as four respins" – выглядит как полное безумие, честно говоря. Еще одна причина проблем – дефицит квалифицированных кадров, в том числе связанный с тем, что сейчас многие продуктовые компании стали делать свои чипы.
И, разумеется, предлагаемое в статье решение – скорейшее внедрение ИИ в тулы для дизайна и верификации, чтобы повысить продуктивность инженеров. Правда, не сказано ни слова о том, кто будет делать верификацию через десять лет, если сейчас всех джунов заменит ИИ.
И, разумеется, предлагаемое в статье решение – скорейшее внедрение ИИ в тулы для дизайна и верификации, чтобы повысить продуктивность инженеров. Правда, не сказано ни слова о том, кто будет делать верификацию через десять лет, если сейчас всех джунов заменит ИИ.
25.03.202514:11
Интересное применение любимого мной токового усилителя – измерение тока через хайсайд DC/DC конвертера. Ток индуктивности надо знать для работы в режиме токового управления, а пропускать несколько Ампер через шунтирующий резистор не хочется. Поэтому вместо тока через катушку измеряют ток через выходные транзисторы. С нижним транзистором это несложно, а с верхним несколько заковыристее.
Ток через измеряющий транзистор N1S в m раз меньше, чем через
выходной транзистор N1, благодаря усилителю P1-P2-N2, выставляющему одинаковое напряжение в точках V1 и V2. Ток через резистор R будет равен Iout/m-I0 (≈Iout/m при Iout >> I0*m). Схема простая, но она плохо подходит для измерения малых токов, где важна вносимая потреблением усилителя погрешность. Для ее компенсации вводят ветку, обозначенную красным в правой части рисунка, и позволяющую работать с токами Iout >= I0*m.
В реальности, как обычно, все несколько сложнее, особенно на высоких напряжениях – нужны каскоды, защита и много что еще, но концепция такая же.
Ток через измеряющий транзистор N1S в m раз меньше, чем через
выходной транзистор N1, благодаря усилителю P1-P2-N2, выставляющему одинаковое напряжение в точках V1 и V2. Ток через резистор R будет равен Iout/m-I0 (≈Iout/m при Iout >> I0*m). Схема простая, но она плохо подходит для измерения малых токов, где важна вносимая потреблением усилителя погрешность. Для ее компенсации вводят ветку, обозначенную красным в правой части рисунка, и позволяющую работать с токами Iout >= I0*m.
В реальности, как обычно, все несколько сложнее, особенно на высоких напряжениях – нужны каскоды, защита и много что еще, но концепция такая же.
03.04.202510:17
Президент США решил подождать с введением веерных таможенных тарифы против всех стран, экспорт которых в США превышает их импорт, до второго апреля.
Среди пострадавших сильнее всего – разумеется, Китай, а также все те страны, в которые американские компании старательно переносили свои китайские производства – Вьетнам, Камбоджа, Таиланд. Самые высокие тарифы у Лесото, а также у крошечных французских островов Сен-Пьер и Микелон, но я даже не могу представить, что именно они экспортируют в США. Еще в списке есть необитаемые острова Херд и Макдональд, так что я не удивлюсь, если он был составлен автоматически (даже ИИ справился бы лучше).
То, что важно для микроэлектронной промышленности – это 32% для Тайваня, которые наверняка приведут к серьезным убыткам крупнейших компаний отрасли. Немедленный результат можно наблюдать прямо на скриншоте прямого эфира выступления Трампа. В общем, если миру не хватало экономического кризиса, то теперь эта проблема решена. Впрочем, США пострадают от него самыми первыми.
Среди пострадавших сильнее всего – разумеется, Китай, а также все те страны, в которые американские компании старательно переносили свои китайские производства – Вьетнам, Камбоджа, Таиланд. Самые высокие тарифы у Лесото, а также у крошечных французских островов Сен-Пьер и Микелон, но я даже не могу представить, что именно они экспортируют в США. Еще в списке есть необитаемые острова Херд и Макдональд, так что я не удивлюсь, если он был составлен автоматически (даже ИИ справился бы лучше).
То, что важно для микроэлектронной промышленности – это 32% для Тайваня, которые наверняка приведут к серьезным убыткам крупнейших компаний отрасли. Немедленный результат можно наблюдать прямо на скриншоте прямого эфира выступления Трампа. В общем, если миру не хватало экономического кризиса, то теперь эта проблема решена. Впрочем, США пострадают от него самыми первыми.
14.04.202509:07
На этом рисунке — пример массива из четырех двоично взвешенных приборов (размеры 1, 2, 4, 8). Такие массивы встречаются в многоканальных токовых зеркалах или в резистивных/конденсаторных матрицах для АЦП и ЦАП. Минимальный элемент расположен около центра, остальные — как обычно. По краям со всех сторон — "дамми", причем меньшего размера, чем согласуемые приборы, потому что нам важно не только убрать краевые эффекты, но и сэкономить площадь.
В этом конкретном примере есть еще одна компромиссная конструкция для экономии площади — дамми в центре, дополняющий единичный элемент. В идеальном мире нам стоило бы вместо размеров 1-2-4-8 взять размеры 2-4-8-16, а в случае с транзисторами еще и сделать каждый из элементов двухзатворным, но если надо экономить, то такое решение может быть приемлемым.
У центроидов есть и много других нюансов, например необходимость обеспечивать одинаковое направление тока во всех приборах, но это слишком объемная тема, чтобы разобрать ее, не написав в процессе книгу.
В этом конкретном примере есть еще одна компромиссная конструкция для экономии площади — дамми в центре, дополняющий единичный элемент. В идеальном мире нам стоило бы вместо размеров 1-2-4-8 взять размеры 2-4-8-16, а в случае с транзисторами еще и сделать каждый из элементов двухзатворным, но если надо экономить, то такое решение может быть приемлемым.
У центроидов есть и много других нюансов, например необходимость обеспечивать одинаковое направление тока во всех приборах, но это слишком объемная тема, чтобы разобрать ее, не написав в процессе книгу.
Увайдзіце, каб разблакаваць больш функцый.
